XII
Figura 3.23 – Geometria do detector sob a incidência de radiação infravermelha. .................85
Figura 3.24 – Representação dos mecanismos de geração de fotocorrente..............................89
Figura 3.25 - Três mecanismos de geração da corrente de escuro em um fotodetector QW: (1)
tunelamento do estado fundamental, (2) tunelamento assistido termicamente e (3) emissão
termiônica.
................................................................................................................................94
Figura 3.26 –Esquema representando as estruturas de múltiplos poços quânticos sem tensão
de polarização (a) e quando aplicada a tensão de polarização (b).
...........................................94
Figura 4.1 – Estrutura de processamento das amostras..........................................................102
Figura 4.2 – Estrutura semicondutoras crescidas no LabSem (a) AMOSTRA I de QWIP de
MQW Al
0,27
Ga
0,73
As/GaAs e (b) AMOSTRA II de QWIP de MQW
In
0,53
Ga
0,47
As/Al
0,52
In
0,48
As. ...................................................................................................102
Figura 4.3 – Demonstração do encapsulamento realizado na amostra de QWIP...................103
Figura 4.4 – Esquema de conexões da Amostra I e identificação dos dispositivos
caracterizados.
........................................................................................................................104
Figura 4.5 – Amostra II de In
0,53
Ga
0,47
As/Al
0,52
In
0,48
As fixa no suporte................................104
Figura 4.6 – Esquema das conexões da Amostra II e identificação do dispositivo
caracterizado.
..........................................................................................................................105
Figura 4.7 – Caixa metálica para blindagem da radiação infravermelha de fundo nas Amostras
de QWIP.
................................................................................................................................106
Figura 4.8 – Montagem experimental de um sistema de caracterização elétrica de corrente por
tensão (IxV) em laboratório do IEAv.
....................................................................................106
Figura 4.10 - Ilustração da lâmina reticulada de um modulador mecânico............................109
Figura 4.11 – Laboratório de Sensores do INPE usado para medidas de responsividade dos
fotodetectores.
........................................................................................................................111
Figura 4.12 – Diagrama em blocos do arranjo experimental utilizado em laboratório para
medidas de responsividade espectral.
.....................................................................................114
Figura 4.13 – Laboratório de LaRaC do IEAv para medidas de responsividade espectral dos
fotodetectores.
........................................................................................................................115
Figura 4.14 – (a) Curva Típica do espectro de irradiação de um corpo negro a 1050K, de um
Globar Oriel M-6363 com 0,1 cm
2
de área, para uma distância de 0,5 m e (b) emissividade de
um Globar Oriel M-6363. . (dados traduzidos do Manual) para alimentação da lâmpada com
potência máxima.
....................................................................................................................115
Figura 4.15 – Interface do programa de controle dos equipamentos para medidas de
responsividade espectral, em LabView.
.................................................................................117
Figura 4.16 –Criostato de nitrogênio liquido com janela de BaF
2
. ........................................118
Figura 4.17 – Criostato refrigerado por nitrogênio líquido com janela de ZnSe....................119
Figura 4.18 – Espectro de transmissão na região do infravermelho para a janela de BaF
2
medido por FTIR no INPE.
....................................................................................................119
Figura 4.19 – Espectro de transmissão na região do infravermelho para a janela de ZnSe de 3
mm de espessura medido por FTIR no INPE.
........................................................................120
Figura 4.20 – Gráfico da medida de corrente de escuro nos três dispositivos da Amostra I em