basicamente, do hidrocarboneto e do reator utilizados. A Figura 1.8 (a)
representa o momento em que o hidrogênio atômico H
•
“rouba” um átomo de
hidrogênio que estava inicialmente ligado ao carbono. Isso acontece devido à
afinidade eletrônica, que é maior entre átomos de um mesmo elemento. Uma
vez que outros hidrogênios atômicos já se ligaram a outros da mesma
composição, constituintes do gás metano, surgem moléculas de CH
3
. Os
carbonos dessas moléculas irão se ligar aos carbonos da rede (Figura 1.8
(b)). Esse mecanismo de trocas de átomos de hidrogênio por átomos de
carbono, nas ligações já estabelecidas, se repete até que toda a rede
contenha apenas átomos de carbono (Figura 1.8 (c) até (g)).
1.6 Espectroscopia de espalhamento Raman
Quando o substrato de Silício, com o filme de diamante crescido sobre
ele, é retirado do reator, após o processo de resfriamento, ele passará,
basicamente, por três análises: por Microscopia Óptica, Microscopia
Eletrônica de Varredura e por espectroscopia de espalhamento Raman. A
partir da primeira pode-se ter uma idéia, muito superficial, da qualidade do
filme, que será comprovada após a conclusão das duas outras. Esse
pequeno cuidado (microscopia óptica) é tomado principalmente pela
sofisticação dos métodos que virão a seguir, o que acarreta uma maior
dificuldade para sua utilização.
A espectroscopia Raman é o exame utilizado para a determinação da
qualidade do filme. Ela permite a identificação de diamante, grafite e fases
amorfas de carbono em uma amostra. Previsto teoricamente por A. Smerkal,
em 1923, o efeito do espalhamento foi observado experimentalmente em
líquidos por C.V. Raman, em 1928, com a colaboração de K. S. Krishman
[12].
A técnica consiste na emissão de um feixe de luz monocromática que
incide sobre a superfície de uma amostra que, a partir da interação de seus
fótons com os átomos da superfície, gera um espalhamento inelástico
causando uma mudança em seu comprimento de onda. Quando a luz é