Download PDF
ads:
UNIVERSIDADEFEDERALDESANTACATARINA
PROGRAMADEPÓSGRADUAÇÃOEMFÍSICA
CENTRODEFÍSICAEMATEMÁTICA
CINÉTICADEEFEITOSFOTOINDUZIDOSEMFILMESFINOS
CALCOGÊNICOSSOBIRRADIAÇÃO
PauloRobertodeMoura
Florianópolis–janeirode 2006.
ads:
Livros Grátis
http://www.livrosgratis.com.br
Milhares de livros grátis para download.
ii
UNIVERSIDADEFEDERALDESANTACATARINA
CENTRODECIÊNCIASDAEDUCAÇÃO
PROGRAMADEPÓS –GRADUAÇÃO
CURSODEMESTRADOEMFÍSICA
CINÉTICADEEFEITOSFOTOINDUZIDOSEMFILMESFINOS
CALCOGÊNICOSSOBIRRADIAÇÃO
DissertaçãosubmetidaaoColegiadodo
ProgramadePósgraduaçãoemFísicada
UniversidadeFederaldeSantaCatarina
ParaobtençãodotítulodeMestreem
Física.
BancaExaminadora:
Prof.Dr.DanilodePaivaAlmeida(Orientador)–FSC/UFSC;
Prof.Dr.JoãoCardosodeLima (Coorientador) –FSC/UFSC;
Prof.Dr.ReinaldoLuizCavassoFilho– LNLS/CAMPINAS/SP;
Prof.Dr.TarcisoAntônioGrandi – FSC/UFSC.
Florianópolis–janeirode2006.
PauloRobertodeMoura
ads:
iii
CINÉTICADEEFEITOSFOTOINDUZIDOSEMFILMESFINOS
CALCOGÊNICOSSOBIRRADIAÇÃO
DissertaçãosubmetidaaoColegiadodo
ProgramadePósgraduaçãoemFísicada
UniversidadeFederaldeSantaCatarina
Paraobtençãodotítulo deMestreem
Física.
Orientador:Prof.Dr.DanilodePaivaAlmeida.
Florianópolis,janeirode2006.
iv
DEDICATORIA
ÀÂndreaeatodaminhaFamília,emespecial,àminhamãeJurema,ameupaiPedro
eàminhaavóCalista
inmemorian
.AoSportClubInternacional.
v
AGRADECIMENTOS
MeusvotosdegratidãoàSecretariadeEducaçãodeSantaCatarinaeatodosque
viabilizaram,diretaouindiretamente,arealizaçãodessadissertaçãodeMestrado,em
especial,aosProfs.DanilodePaivaAlmeidaeJoãoCardosodeLima.
vi
RESUMO
Apresentamos aqui os resultados de medidas das alterações fotoinduzidas
ocorrendo em filmes finos calcogênicos da liga Ge
30
Se
70
e da liga Ga
40
Se
60
,
investigadassobváriosregimesdeirradiação.Ênfaseédadaadescriçãodastécnicas
experimentais,bemcomoaoaparatoconstruídoparaasmedidasapresentadas.Aliga
Ge
30
Se
70
ealigaGa
40
Se
60
forampreparadaspormoagemmecânicaemummoinho
de bolas, depositadas na forma de filmes finos em substrato de vidro e
posteriormenteexpostasàluzsíncrotronnafaixadovisíveleultravioleta,afontes
radioativas como, partículas alfa, partículas beta, radiação gama e raios – X, ea
radiaçãovisível.Adependênciadatransmissãoporumfeixedelaserdediodofoi
determinadacomoumafunçãodotempodeexposiçãoàradiaçãoutilizada.
vii
ABSTRACT
Here, we present the results of measurements of photoinduced changes
occurringinchalcogenidethinfilmsofGe
30
Se
70
andGa
40
Se
60
alloyunder various
irradiation regimes. Emphasis is given to the description of the experimental
technique,aswellastheapparatusconstructedforthepresentmeasurements.The
Ge
30
Se
70
alloyand Ga
40
Se
60
alloy, werepreparedby mechanic alloying in a balls
mill,depositedasathinfilmonaglasssubtractandexposedtosynchrotronphotons
inthevisibleandultravioletrangeandfromradioactivesourcestoalphaparticles,
beta particles, gamma radiation and X – rays, as well as visible radiation. The
dependenceofthetransmissionofa diodelaserbeam havebeen determinedasa
functionofthetimeexpositiontotheradiationused.
viii
Sumário
Capítulo1
1.Introdução..........................................................................................................1
Capítulo2
2.Calcogêniosamorfos...........................................................................................7
2.1Estruturadoscalcogênios..................................................................................8
2.2Defeitos..............................................................................................................9
2.2.1Regra8– N.............................................................................................10
2.2.2Energiadecorrelaçãoefetiva(
negtiveUdefects
)..................................10
2.3Metaestabilidadeestruturalfotoinduzidaemvidroscalcogenetos..................12
2.3.1Exemplosdeefeitosfotoinduzidos.........................................................12
Capítulo3
3.Experimental....................................................................................................15
3.1Moagemmecânica...........................................................................................15
3.1.1Síntesedasligas......................................................................................16
3.2Caracterizaçãodasligas...................................................................................17
3.2.1DRX........................................................................................................17
3.2.2DSC.........................................................................................................18
3.2.3Espectroscopiadeabsorçãofotoacústica................................................18
3.3Preparaçãodosfilmesfinos.............................................................................19
3.3.1Limpezadaslâminas...............................................................................20
3.3.2Deposiçãodosfilmesfinos.....................................................................20
ix
3.4Irradiaçãodosfilmesfinos...............................................................................22
3.4.1Luzsíncrotron.........................................................................................22
3.4.1.1LinhadeLuzTGM:EspectroscopiadeUltravioletadevácuo...23
3.4.2EDS.........................................................................................................24
3.4.3EspectroscopiadeabsorçãoUV/VIS/NIR..............................................25
3.4.4Fontesdeirradiação................................................................................26
3.4.4.1Fotodiodos..................................................................................27
3.4.4.2MTR............................................................................................27
3.4.4.3CircuitoeletrônicodoMTR........................................................28
3.4.4.4Circuitoeletrônicodecontroledetemperatura...........................29
Capítulo4
4.Resultadosediscussões...................................................................................32
4.1Caracterizaçãodasligas...................................................................................32
4.1.1DRX........................................................................................................32
4.1.2DSC.........................................................................................................34
4.1.3Espectroscopiadeabsorçãofotoacústica................................................36
4.2Irradiaçãodosfilmesfinos...............................................................................38
4.2.1Luzsíncrotron.........................................................................................38
4.2.1.1EDS.............................................................................................40
4.2.1.2EspectroscopiadeabsorçãoUV/VIS/NIR..................................41
4.2.2Fontesdeirradiação................................................................................45
4.2.2.1CurvacaracterísticaIxV...........................................................45
4.2.2.2MonitoramentodeI
0
...................................................................46
4.2.2.3Lâminadevidro..........................................................................48
4.2.2.4Laserdediodo.............................................................................48
4.2.2.5Fontedepartículaα.....................................................................50
4.2.3.6Fontedepartículaβ.....................................................................51
4.2.2.7Fontederadiaçãoγ.....................................................................53
4.2.2.8Fontederaios –X.......................................................................54
x
4.2.2.9FontederadiaçãoVIS.................................................................56
Capítulo5
5.Conclusões.......................................................................................................59
Anexo
AnexoA:Cinéticadeefeitosfotoinduzidos..........................................................62
A.1Modelosparafotoescurecimentoemcalcogenetos.........................................62
A.1.1Modelosenvolvendoquebra/formaçãodeligação................................62
A.1.2Modelosenvolvendodistorçãoestruturalmasnãoquebradeligação..64
A.1.3Modelosparaanisotropiafotoinduzida.................................................64
A.1.3.1Modelosdotipo1....................................................................65
A.1.3.2Modelosdotipo2....................................................................65
A.1.4Outrosmodelos.....................................................................................65
Referências
Referênciasbibliográficas......................................................................................66
1
Capítulo1
1 Introdução
Enquantofilmesnãosólidosefenômenosassociadosacoresdeinterferência
foramestudadosnosúltimostrêsséculos,filmesfinossólidosforamprimeiroobtidos
provavelmenteporeletróliseem 1838. Na literatura, entretanto, Bunsene eGrove
obtiveram filmes metálicos em 1852 por meio de reação química e por
glow
discharge sputtering
, respectivamente [Chopra, 1969]. Os primeiros filmes finos
evaporadosforamprovavelmenteosdepósitosqueFaraday[Faraday,1857]obteve
em 1857, quando ele explodiu um fio metálico (
currentcarrying
) por uma alta
densidadedecorrente,emumaatmosferainerte.Apossibilidadededepositarfilmes
finosmetálicosemcuoporaquecimentoJouledefiosdeplatinafoidescobertoem
1887 por Nahrwold [Nahrwold, 1887] e um ano mais tarde, adaptado por Kundt
[Kundt,1888]comopropósitodemediçãodoíndicederefraçãodefilmesmetálicos.
Nas décadas seguintes, filmes finos evaporados permaneceram no domínio de
interesseacadêmico,atéodesenvolvimentodeequipamentosacuoteralcançado
umprogresso suficientemente grandeparapermitiraplicações emgrande escalae
assim ter o controle das propriedades dos filmes. No século dezenove,
experimentações futuras foram estimuladas pelo interesse em fenômenos ópticos
associadoscomcamadasfinasdemateriaisepelainvestigaçãodacinéticadedifusão
de gases. As propriedades ópticas de filmes metálicos, e a curiosidade cientifica
sobre o comportamento de sólidos bidimensionais tem sido responsável pelo
interessecrescentenoestudodaciênciaetecnologiadefilmesfinos.
Atecnologiaeacompreensãodefilmescomespessuramenoroudaordemde
um mícron tem tido um avanço significante nas últimas décadas, principalmente
devido à demanda industrial para a utilização de filmes finos em aparelhos
microeletrônicos,parasuprira necessidadeurgente daera
Sputnik
.Esteprogresso
trouxematuridadeemuitaconfiançacientificanousodefilmesfinosparaapesquisa
básica e aplicada, além de uma maior contribuão a uma variedade de novas e
futuras tecnologias. Durante os últimos sessenta anos, filmes evaporados têm
2
encontradousoindustrialparaumnúmerocrescentedepropósitos.Exemplossão:
revestimento antirefletores, espelhos de superfície frontal,filtros de interferência,
óculosdesol,revestimentosdecorativosempsticosetecidosemanufaturadetubos
deraioscatódicos.Maisrecentemente,apartirde1965,aeletrônicadesemicondutor
fezusodométododefilmesfinos,revelandodoisméritosmaior:afabricaçãoem
massapelatécnicadeimpressãoeaminiaturizaçãoporintegração(em1966erade
50elementos/mm
2
,em1974foipara500elementos/mm
2
eapartirde1988passou
para5000elementos/mm
2
),emcircuitoseletrônicos[WagendristeleWang,1994].
Nessa dissertação focaremos nossa atenção para uma classe de materiais
conhecidacomovidroscalcogenetos,naformadefilmefinosemicondutor.Foino
laboratório de B. T. Kolomieta em 1959 aonde as primeiras pesquisas de vidros
calcogenetos foram desenvolvidas, especialmente pesquisas sobre fenômenos
ópticos, elétricos e fotoetricos, sendo ele um dos autores da descoberta das
propriedadeseletrônicasdevidroscalcogênicossemicondutores,desenvolvendouma
investigação complexa das propriedades estruturaise físicas de um grande grupo
destes materiais, realçando a importância desta classe de materiais para o
entendimentodafísicadesólidosnãocristalinos[Andriesh,1998].
Vidros calcogênicos semicondutores exibem uma ampla variedade de
fenômenosfotoinduzidosquandoexpostosaluzvisível(VIS),radiaçãoultravioleta
(UV)ouaumfeixedeíons,permitindoasuautilizãonasáreasdeholografia,de
ópticadifrativaedemeiosdealtadensidadeparaarmazenamentodeinformaçõesou
deimagensópticas.Ousodefilmesfinoscalconicosemdispositivostecnológicos
tem permitido alcançar resolução da ordem de vários nanômetros devido a sua
estruturaamorfaedapossibilidadedealterarasuperfíciedosmesmosexpondoosas
radiaçõescitadasacima.Ainteraçãodaradiaçãocomosfilmescalcogênicospodem
causar um branqueamento da superfície do filme, conhecido na literatura como
fotobraqueamento (
photobleaching
) ou o seu escurecimento também conhecido
como fotoescurecimento (
photodarkening
). No fotobraqueamento é observado um
desviodabordado
gap
ópticoparacomprimentodeondasmenoresresultandoem
umaumentonaenergiado
gap
óptico,oqualéconhecidonaliteraturacomo
blue
shift
.Nocasodofotoescurecimento,odesviodabordado
gap
ópticoocorrepara
comprimentosdeondasmaiorescausandoumareduçãonaenergiado
gap
óptico,o
3
qualéconhecidonaliteraturacomo
redshift
.Dopontodevistafundamental,estes
fenômenos tem sido explicados através de uma mudança nas configurações de
defeitos locais. Porém, o entendimento dos mecanismos físicos que regem esses
fenômenosaindapermanececomoumaquestãoemaberto.Essasalteraçõespodem
ser revertidas combinando tratamentos térmicos em temperaturas próximas à
temperaturadetransiçãovítreadecadaligaeexposiçãodofilmefinoaumfeixede
radiaçãoapropriada[Hayashi
etal
,1996].
Ogrande interessenesses materiaisé devidoa suatecnologia de obtenção
simplesnaformadevolume(
bulk
)edefilmefino,durabilidadequímicaeradioativa,
sua transparência e fotosensitividade na região espectral no infravermelho (IR) e
VIS, bem como a possibilidade de uma ampla variação das propriedades com a
composição.
Umadasprincipaiscaracterísticasdevidroscalcogenetossão asmudanças
fotoinduzidas de sua estrutura. Esses materiais exibem uma ampla variedade de
processosfotoestimulados,talcomomudançasestruturaisreversíveiseirreversíveis,
fadigaaluminescência,fenômenosdelaser
annealing
,etc.,abilitandoosparaserem
usadosparaagravaçãoópticadeinformações(comaltadensidadedegravaçãoealta
resolução),ouparacriarimagensholográficas.Sehojeum
compactdisc
(CD)pode
armazenar cerca de 240milhões de
bytes
,o equivalente, por exemplo, a 300 mil
páginas de texto escrito em espaçoduplo, a perspectiva para ospróximos anos é
aumentaressacapacidadepara10bilhõesde
bytes
,41vezesmaiorqueaatual,ou
ainda12,3milhõesdepáginas.Alémdedominaromercadodegravãodemúsica,
o CD é também o meio padrão para aparelhos multimeios, que combinam texto,
imagensesom.Assim,aumentaraquantidadedememóriasemampliarotamanho
do disco são duas linhas estratégicas de pesquisa nessa área de sistemas opto
eletrônicosdearmazenamentodigitaldeinformações.
Em1999,ogrupodeMateriaisFotônicosdoDepartamentodeQuímicaGeral
eInorgânicadoInstitutodeQmicadaUniversidadeEstadualPaulista(IQUnesp),
emAraraquara,sobacoordenaçãodosprofessoresYounesMessaddeqeSidneyJose
LimaRibeiro,contandocomacolaboraçãodoInstitutodeFísicadaUSP,doCampus
de São Carlos, estudaram fenômenos fotoinduzidos por laser em calcogenetos,
desenvolveram novos materiais e fizeram importantes descobertas sobre os
4
mecanismos degravação e regravação. Os calcogenetos garantemao produtotrês
pontoschaveparao desenvolvimento da tecnologia deprodução do
digital video
disc
(DVD):estabilidade,reversibilidade(acapacidadedegravaçãoeregravaçãono
mesmo disco) e sensibilidade para o armazenamento de dados. Atualmente, o
princípiodemudançadefasereversíveléatribuídoàinduçãofototérmica,apartirde
variaçõesdetemperaturadolaserquemudamoestadodoscalcogenetosdecristalino
paraamorfoeviceversa.Nafaseamorfa,omaterialgravaosdados;nacristalina,
reproduz. Trabalhando com esse material, eles também descobriram outros
mecanismosqueexplicaramas mudançasestruturais verificadas noscalcogenetos,
quando expostos à irradiação, especialmente em composições à base de Ga, Ge,
As
2
S
3
e Sb. Um dos fenômenos observados é o da fotoexpansão, sem nenhuma
alteraçãotérmica,apenascomaluzdolaser.Essatécnicapossibilitouaaplicaçãode
calcogenetos na fabricação de microlentes para as áreas de segurança, em
microcâmeras;namedicina,emcirurgiasinvasivas;enamilitar,emsistemaspara
teleguiarmísseis.
Os pesquisadores da Unesp acreditam que o melhor aproveitamento dos
calcogenetossedarácomousodofenômenodefotoexpansão.Usandoumlasercom
potência e tempo de exposição adequada, eles verificaram que a amostra vítrea
irradiadacomluzUV gerouumaexpansãonasuperfíciedomaterialdaordemde
25%.Esseíndice,queaumenta oespectrodeatuação,tornandooraiodalentemaior,
possibilitaarmazenar mais informações,de formasuperior à observadaemoutros
tipos devidroscalcogenetosrecebendooutrasintensidadesdeluz,que mostraram
variaçõesdeexpansãomáximade0,7%.Oscalcogenetosdesenvolvidospelogrupo,
compostosàbasedeGaeGe,apresentamaltaeficiênciadedifraçãodevidoaum
maiornúmeroderanhuraspormilímetro,umavantagemparaatecnologiadoDVD,
proporcionando mais canais para armazenar dados. Entretanto, a fotoexpansão
apresenta desvantagens para a estabilidade do material, e por isso o grupo vem
procurando materiais alternativos, baseados na mesma matriz, e qual a melhor
composiçãodematériasprimasparaatingirasrespostasdesejadas[RevistaPesquisa
Fapesp, 2003]. Estudos estão sendo feitos em materiais ainda pouco explorados,
como vidros à base de Sb e WO. Os grupos internacionais (japoneses e norte
americanos,sobretudo)trabalhamcomTe,Ga,GeeS.
5
AimportânciadosexperimentosrealizadosemAraraquaraestánumprojeto
piloto apresentado em2003 por pesquisadores da
MatsushitaEletrical Industrial
,
desenvolvido no Japão,que demonstrouo uso do DVD em câmeras digitaispara
gravação,deformasimilaraumafitadevídeo.AmatériaprimausadanesseDVD
foiàbasedecalcogenetoscompostosporGeeSb.Atualmente,existeumacorrida
tecnológica mundial para o desenvolvimento desses materiais. Além da
caracterização dos lasers que fazem a leitura dos sinais elétricos, os cientistas
pesquisam novos métodos e materiais, para tornar os produtos mais eficientes e
baratos. Assim, filmes finos preparados a partir de vidros calcogenetos são
promissores para substituir, com vantagens, os polímeros usados atualmente na
fabricaçãodeCDseDVDs.
Nesta dissertação, em uma primeira etapa, ligas calcogênicas amorfas de
Ge
30
Se
70
e Ga
40
Se
60
foram preparadas pela técnica de moagem mecânica
(
mechanicalalloying
)e,emseguida,essasligasforamusadasparaproduzirfilmes
finosamorfosdemesmacomposiçãousandoatécnicadeevaporação.
Em uma segunda etapa, os filmes finos produzidos foram irradiados com
feixe de radiação UV e VIS na linha de luz TGM (
Toroidal Grating
Monochromator
)existentenoLaboratórioNacionaldeLuzncrotron(LNLS),em
Campinas,parapromoverosefeitosdefotobranqueamentooudefotoescurecimento.
Em uma terceira etapa, com o objetivo de compreender os mecanismos
físicosresponsáveispelosfenômenosdefotobraqueamentooufotoescurecimento,foi
projetadoumnovoarranjoexperimental,queserádescritonocapítulo3.
As propriedades estruturais (composição e morfologia) e térmicas
(temperaturade transição vítrea, temperatura de cristalização, energia de ativação
parapromovera cristalização e difusividade térmica) das ligas, naforma de s,
foram analisadas usando a técnica de Difração de raiosX (DRX), Calorimetria
diferencialdevarredura(
DifferencialScanningCalorimetry
DSC)eEspectroscopia
de absorção fotoacústica, respectivamente. As propriedades estruturais e ópticas
(energiado
gap
óptico)dasligas,naformadefilmesfinos,foramanalisadasusando
a técnica de Espectroscopia de energia dispersiva (EDS) e Espectroscopia de
absorção UV/VIS/NIR, respectivamente.Visando comparar asmudanças causadas
6
pela irradiação nos filmes finos, suas propriedades estruturais e ópticas foram
novamenteinvestigadaspelastécnicasjámencionadasacima.
A compreensão desses mecanismos é de fundamental importância para o
desenvolvimentodenovosdispositivostecnológicos.
Paraaapresentaçãodestetrabalhofoiseguidooseguinteplano:
No capítulo2, apresentaremos uma revisãobibliográfica sobrecalcogênios
amorfos, descrevendo a sua estrutura, os defeitos estruturais e as mudanças
fotoinduzidas.
Nocapítulo3,descrevemososprocedimentosexperimentaisutilizadosneste
trabalho.
No capítulo 4, apresentaremos nossos resultados experimentais obtidos a
partir das diferentes técnicas utilizadas, bem como a discussão dos resultados
obtidos.
Nocapítulo5,apresentaremosasprincipaisconclusõesobtidasdestetrabalho
esugestõesdepossíveiscaminhosparaacontinuidadedapesquisa.
No apêndice A, apresentaremos os aspectos teóricos relevantes para a
compreensãodacinéticadeefeitosfotoinduzidos.
7
Capítulo2
2 Calcogêniosamorfos
Umdosproblemaschavenafísicadamatériacondensadaéoentendimento
de como adesordem afetaaspropriedadesdos materiais.Materiais desordenados
freentementemostramnovaspropriedadesquandocomparadasasuacontraparte
cristalina. Muitasdestaspropriedadespossuemamplasaplicaçõestecnológicas,tal
comojaneladevidro,célulasolareteladecomputadorportátil.Exemplosdesólidos
desordenados incluem vidros, polímeros, metais amorfos, ligas metálicas,
semicondutores amorfos, materiais porosos, materiais fractais e agregados
macroscópicos(vertabela2.1).Materiaisdesordenadosouamorfossãodesejáveis
para muitasaplicações, devido a seubaixocustode manufatura.Seu estudoé de
grandeimportânciatantodopontodevistaacadêmico,comotecnológico.Étambém
muito desafiador, devido às técnicas experimentais e formalismos teóricos
desenvolvidos para cristais serem inaplicáveis ou requererem modificações em
relaçãoasuacontraparte.
Vidro, o material amorfo mais comum, é freqüentemente sintetizado pela
fusãodeumcristaleresfriamentorápido,tornadoseumliquidosuperesfriadoque
resfriaparaumestadovítreodesordenadoaoinvésdeumestadocristalino.Outro
método de preparação de materiais amorfos é por deposição de vapor sob um
substrato,criandoumfilmefinoamorfoemvezdeumvolume.Apassagemdovidro
fundido resfriado é conhecida como transição vítrea, quando ele passa do estado
vítreoparaumestadomalvel(viscoelástico).Deveseobservarqueanaturezada
transiçãovítreaéconsideradaaindacomosendoumdosgrandesmistériosdafísica
damatériacondensada[Anderson,1995].
Calcogênios amorfos o uma das classes mais importantes de
semicondutoresamorfoscovalentes,vistoqueelesmostramumaamplavariedadede
comportamentos optoeletrônicos interessantes. A palavra vem do grego cujo
significado é formadores de Cu. Os minérios dos quais o Cu é extraído o
compostos formados geralmente pelo Cu e O ou S, Se, Te, Po, elementos
8
pertencentesaogrupoVIdatabelaperiódica,usualmenteemcombinaçõescomSb,
As, P (
pnictogens
) e freqüentemente com Ge, Si ou B, por exemplo. Todos os
elementosdessegrupoapresentamconfiguraçãoeletrônicaterminadaems
2
p
4
.OO
difere dos demaiselementos do grupopor sermuito eletronegativo e, portanto,o
maisnicoemseuscompostos.Entreasváriasaplicaçõesdemateriaiscalcogênios
amorfosemdispositivosópticosestãoafotocopiadora,atecnologiade
CDRW
de
mudançadefaseeafibraópticanoIR.
2.1 Estruturadoscalcogênios
Vamos considerar a estrutura do Se como exemplo. Existem duas formas
cristalinas, uma consistindo de cadeias e a outra de anéis. Nós podemos
razoavelmente esperar que o estado amorfo seja uma mistura destas diferentes
características estruturais. Entretanto, a estrutura do Se amorfo ainda é uma
controvérsia[HohleJones,1991],vistoqueaanáliseestruturaldesólidosamorfos
apresentavariasdificuldades.CalcogêniosdearsênicotalcomoAs
2
S
3
eAs
2
Se
3
são
cristaisestendidosemcamadas,eumaextensãoemcamadas(local)éesperadacomo
presentenoestadoamorfo,masestepontodevistaoégeral.Tambémtemsido
relatadaapresençadeunidadesmolecularesisoladasemvidros[Treacy
etal.
,1980].
Vidros multicomponentes, tal como GeTeSb, possuem estruturas até mais
complicadas.
Oprépico(
FirstSharpDiffractionPeak
)éobservadonofatordeestrutura
devidroscalcogenetos,etambémestápresentenoestadolíquido.Alémdaordemde
curto alcance dada pelo pico principal, existe uma ordem de extensão espacial
intermediariadadapeloprépico,aqualétípicadesistemasprecursoresdevidro.O
prépico é uma assinatura da ordem de médio alcance.A grande flexibilidadede
átomoscalcogênicosdáorigemaumaumentonacomplexidadeestruturalemvidros
calcogenetos,comparadacommateriaisamorfostetraedros.
9
2.2 Defeitos
Muitasdaspropriedadesdemateriaisamorfospodemseratribuídasadefeitos
estruturais. Materiais amorfos são, por sua natureza, defeituosos, mas é útil
generalizar oconceitode defeitoscristalinos. Coordenação, o número de ligações
queumátomofazcomseusvizinhos, quepode variardaqueleemcristais,dando
origem adefeitos de coordenação naquelesátomos. Alémdisso, em componentes
binários, pode haver ligações homopolar em vez de heteropolar, até para
composiçõesestequiométricas[Treacy
etal.
,1980;Shpotyuk,2003].
Semicondutores amorfos podem ser classificados como sendo também
tetraedral,porexemplo,aSieaGe,oucalcogênico,devidoassuasdiferentesredes
estruturais. Em semicondutores ligados tetraedricamente, o defeito maiscomumé
simplesmenteumaligaçãopendente,queéumelétronde valêncianãoligadoque
nãotemparceirodeligação.Calcogêniosapresentamumdesafio,devidoàsmedidas
deressonânciadespineletrônico(RSE)noescuroteremreveladoqueelesnãotêm
ligações pendentes, apesar disso, a fotoluminescência e a RSE induzida por luz
revelaramquealiháumaaltadensidadedeestadosdedefeitoslocalizadosno
gap
.
EvidenciasdaexistênciadeestadosdedefeitoslocalizadoséqueoníveldeFermi
tambémestáfixado,oquesignificaqueelenãosedeslocacomrespeitoàdopagem.
riospossíveismodelosdedefeitostêmsidoconsiderados, eo candidato
maispopularéo
valencealternationpair
(VAP)ou
intimate
VAP(IVAP).OVAPé
umdefeitoformadoporumpardeátomossobcoordenadoesobrecoordenado,eé
chamadodeIVAPquandoessesparesdeátomosestãoaomesmotempointimamente
ligados. VAP´s e IVAP´s podem ser defeitos carregados. Acreditase que as
excitações e interações de VAP´s e IVAP´s são umapossível explicação para os
efeitosfotoinduzidos[Kastner
etal
.,1976].
Outrosmodelosdedefeitosenvolvemdefeitos
quasimolecular
[Dembovsky,
2000],modelosdeinteraçõesdeparesisolados(
lonepair
)[Watanabe
etal.
,1988]e
modelo
softconfiguration
[KlingereTaraskin,1995].
10
2.2.1 Regra8 –N
Existeumarelaçãosimplesentreonúmerodecoordenação(z)deumátomoe
onúmerodeseuselétronsdevalência(N)[Mott,1969]:
z=8 N,(2.1)
onde N ≥ 4, sendo que cada átomo da rede amorfa ligase deacordo com asua
coordenaçãonatural,determinadaexclusivamenteporparâmetrosquímicos.
UmexemplopodeseroGecom4elétronsdevalência,eoSecom6elétrons
de valência, tendo 4 e 2 ligações, respectivamente. Análogo ao cristal periódico
infinitoideal,nóspodemosdefinirumvidrocovalenteidealcomoaqueleemquenós
esperamosquearegra8–Nsejaaplicável.Narealidade,paraumvidrodefeituoso,a
regra não é muito confiável, como ele pode conter defeitos de coordenação, por
exemplo,átomosdeGecom2,3ou5ligaçõesemvezde4.Alémdisso,umvidro
realpodeconterumagrandefraçãodeligaçõeshomopolares(GeGe).Taisdefeitos
otambémprováveiscentrosdeelétronslocalizadosetambémpossíveissítiospara
mudançasestruturaisfotoinduzidas.Ovidroidealémuitomaisumaidealização.Um
vidrodeGeSerealéprovavelmentecontidodevaziosefragmentosmolecularesou
agrupamentosdeGeSe.
2.2.2 Energiadecorrelaçãoefetivanegativa(
negativeUdefects
)
LigaçõespendentesdãoorigemaumsinalRSEintensoemmateriaisamorfos
tetraédricos tal como aSi.Masem calcogênios, o sinal RSE está ausente, mas é
sabido de experimentos de fotoluminescência que ali há uma alta densidade de
estadosdedefeitoslocalizadosno
gap
[Street,1976]. Para explicar a ausência
anômaladosinalRSEemcalcogênios,Anderson[Anderson,1975]postulouqueo
casamentodeelétronséenergeticamentefavorável.Colocandodoiselétronsemum
sitio,formandoumdefeitodiamagnético,ascustasdaenergiadecorrelaçãonositio
11
deHubbard,éfeitaenergeticamentefavorávelporacoplamentointensodeelétron
fononecorrespondendoaumrearranjamentoestrutural.
Defeitoscriadosdetalformasãochamados
negativeUdefects
,ondeUéa
intensidadedasinteraçõeselétronelétronqueapareceno Hamiltonianodomodelo
de Hubbard de sistemas intensamente correlacionados [Mahan, 2000], que é
normalmentepositivoerepulsivo.
Baseado neste conceito de estados
negativeU
, varias idéias para
configuraçõesdedefeitoscalcogênicostemsidolevadaadiante,talcomoparesde
ligaçõespendentesopositamentecarregados[StreeteMott,1975].Aimportânciado
par isolado de elétrons de átomo calcogênico na condição de elétrons de ligação
adicional foi primeiro proposto por Kastner
et al
. [Kastner
et al.
, 1976]. Eles
analisaram as possíveis configurações de ligações para um átomo calcogênico
resultantedeparesisoladosdeelétronseelétronsligadosocupandomutuamenteos
orbitais. Defeitos triplamente coordenados tornaramse possíveis quando pares
isoladosdeelétronsocupamorbitaisligadosouantiligados.Sítiosdedefeitomono
coordenado (ligações pendentes) podem ocorrer quando elétrons ligados ocupam
orbitaisdeparesisolados.Versõescarregadasdestesdefeitossãotambémpossíveis.
Umaligaçãopendenteneutra
C
0
1
émaioremenergiadoqueumdefeitotriplo
C
0
3
.
Considerandoaenergiadeconfiguraçãodaligação,podesemostrarqueareação
carga desproporcionalização abaixo é energeticamente favorável [Kastner
et al.
,
1976]:
2
C
0
2
C
+
3
+
C
-
1
.(2.2)
A equação acima representa uma inversão (
flip
) na ligação. A carga é
mostradanosobrescritoeonúmerodecoordenaçãonosubscrito.
Este modelo é baseado em uma descrição do orbital molecular simples.
lculos mais realísticos indicam um comportamento
negativeU
em calcogênios
binários[VanderbilteJoannopoulos,1981].
Evidencias do envolvimento de interações de pares isolados é que o
fotoescurecimentodesapareceemcalcogêniosdopadoscomCu,enquantooátomo
12
calconico se torna tetraedricamente coordenado, portanto não há nenhum par
isolado[LiueTaylor,1987].
2.3 Metaestabilidadeestruturalfotoinduzidaemvidroscalcogenetos
Aquiserádadaumabreverevisãodosprincipaisefeitos(vertabela2.2)que
temsidoobservadoexperimentalmenteeacausadasmudançasestruturais.
2.3.1 Exemplosdeefeitosfotoinduzidos
· Fluidezfotoinduzida:Iluminaçãoporluz
subgap
sobreumvidrolevaauma
mudança na viscosidade de rias ordens de magnitude. Isto tem sido
demonstradocomosendoumefeitofotoinduzidoenãotérmico,vistoqueo
efeitoéatémaiorcombaixastemperaturasparaaSe[Poborchii
etal.
,1999].
· Fotoexpansão:Provocaoaumentodovolumedomaterialinduzidaporluz,
semnenhumaalteraçãotérmica.Atensãovolumétricasobiluminaçãoé0,5
%paraaAs
2
S
3
.Istofoiobservadoocorrendojuntocomofotoescurecimento
[Tanaka,1998].Noentanto,quandoumfeixedelaserintensodeluz
subgap
éusado,resultaemumaumentonovolumede5%.Istoéconhecidocomo
fotoexpansãogigante[HisakunieTanaka,1994].
· Fotoescurecimento: Interações de pares isolados dão origem a
fotoescurecimento,devidoaodeslocamentodabordadabandadevalência,
conforme os estudos de espectroscopia fotoeletrônica de raiosX tem
demonstrado. Uma mudança na ordem de médio alcance acompanha o
fotoescurecimento[Hayashi
etal
.,1996].
13
· Anisotropiaópticafotoinduzida:Iluminaçãoporluzplanopolarizadacausa
anisotropia no índice de refração (birrefringência) e no coeficiente de
absorção óptica (diacronismo). O diacronismo é medido por
a
D =
a
D
║
a
D
^
,tipicamente
a
D
~10
2
cm
1
para
a
~10
4
cm
1
,ondeαéocoeficientede
absorçãoóptica.Abirrefringênciaémedidapor
h
D =
h
║
h
^
,tipicamente
h
D = 0,002 para
h
~2,6,onde η é a susceptibilidadedo meio [Andriesh,
1998].
· Efeitosde pressão:Efeitodepressão sobrecalcogênios pode ser similara
efeitosfotoinduzidos[Schroeder
etal
.,2004].
· Fotocondutividade:Édefinidacomoamudançadacondutividadeelétricade
ummaterial,devidoàabsorçãoderadiação[MortePai,1976].
Tipodematerial Exemplo Propriedadesusadas Aplicações
Semicondutor
amorfo
aSi:H Fotocondutividade,
efeitofotovoltaico
TelaTFT(ThinFilm
Transistor),célula
solar
Vidrocalcogênico GeSbTe Mudançafotoestrutural Mídia
CDRW
Vidroisolante SiO
2
Transparênciaóptica/
fácildedarforma
Janeladevidro,lentes
Vidrometálico Fe:B Coercividademagtica cleos
transformadores
Polímero Polythene Mecânica/Óptica Empacotamento/
Sistemaóptico
Tabela2.1:Usodeváriostiposdemateriaisamorfos.
14
Escalar Vetorial
Reversível
· Fotoescurecimento
· Mudançasno:
· índicederefração
[Jedelsky
etal.,
1999]
· volume
· propriedadeselétricas,
porexemplo,
condutividadeAC
[Shimakawa
etal.
,
1987]
· taxadedissoluçãode
solventes[Kolomiets
etal.
,1978]
· solubilidade[Vlcek
et
al.
,1991]
· reatividade[Frumar
et
al.
,1997]
· RSEfotoinduzido
· Anisotropiaóptica
fotoinduzida
· Geraçãodetensão
fotoinduzida
· Efeitooptomecânico
Irreversível
· Fotocristalização
[Brandes
etal.
,1970]
· Fotoamorfização
[Kolobov
etal.
,1992]
· Fotodissoluçãode
metais[Fritzsche,
1998]
· Fluidezfotoinduzida
[Poborchii
etal.
,
1999]
· Fotocristalização[Lyubin
et
al.
,1998]
Tabela2.2:Classificaçãodeefeitosfotoinduzidos.
15
Capítulo3
3 Experimental
Nestecapítulovamosdescreverresumidamenteastécnicasexperimentaiseos
equipamentosutilizadosnodesenvolvimentodestadissertação.
3.1 Moagemmenica
Moagem mecânica é um processo a seco no qual uma mistura de pós
metálicosounãometálicos,comaltograudepureza,oudeumapréliga,tambémna
formade,éativamentedeformada(mecanicamente)sobaaçãodeumacargade
esferasaltamenteenergéticas, produzindoumpóintermediário malcristalizadoou
amorfocommicroestruturaúnica[Schwarz,1996].Duranteoprocesso,amisturana
formadepóésubmetidaaforçasdeimpactocompressivasdegrandeintensidade,
ondeaspartículasdopópresasentreasesferasduranteascolisõesdasmesmasestão
sujeitasadeformões,asoldagensafrioeafraturas,nummoinhodeesferasque
podeserdotipoplanetário,deagitaçãoouvibração.Estasforçasdeimpactocausam
umadiminuiçãodotamanhodegrãoedeformaçõesnaredecristalinadoselementos
participantesdamistura[Pimenta,1995].
Amoagemmecânicainiciasecomamisturadoselementospuros,naforma
depós.Oprocessodeformaçãodaligasedesenvolveemduasetapas:
· Asrepetidasoperõesdefraturadosgrãosdoselementosdamisturacausam
reduçõessucessivasemseustamanhosatéqueestesatinjamvaloresestáveis,
conduzindo desta forma a um refinamento microestrutural [Gilman e
Benjamin,1983].
16
· Este refinamento associado aos defeitos estruturais introduzidos causa um
aumentodaenergialivredeGibbsdesseselementos.Afimdeminimizaro
valor desta energia livre, novas ligações químicas vão sendo formadas
resultandonaformaçãodeumcompostometaestávelouamorfo.
Para a síntese das ligas por moagem mecânica foram usados os seguintes
equipamentos:
· Moinhodebolasdealtaenergia,tipovibratóriomodeloSpex8000.
· Umrecipientecilíndricodeaçoinoxidávelcom3,5cmdediâmetrointernoe
5cmdealturainterna.Ocilindroévedadoporumatamparosqueadacomum
aneldeborracha(
Oring
),aqualserveparamanterumaatmosferainerteno
interiordomesmo.
· Conjuntodeesferasmaciçasdeo.
· Bolsaplástica(
GloveBox
)conectadaaumcilindrocontendoArparacriação
de atmosfera inerte no interior do recipiente e manipulação das amostras
(paraevitaraoxidaçãodomaterial).
3.1.1Síntesedasligas
Osreagentesquímicosnaformadepó,dealtapureza(99,999%)daSedrich
USA,forampesadosdeacordocomapercentagematômicasolicitadaemisturados
na proporção para se obter à composição desejada, juntamente com as esferas e
colocadosnointeriordocilindro.Oconjuntofoilacradosobumaatmosferainertede
Arecolocadoparabaternomoinhodebolas.
A moagem da liga Ge
30
Se
70
foi realizada usando 0,7492 g de pó de Ge,
1,9014 g de de Se e 18,5542 g de esferas de aço maciças (cinco esferas de
diâmetros variados), correspondendo a uma razão entre a massadas esferas e da
mistura(BPR)de7:1,paraseobteracomposiçãoGe
30
Se
70
.Otempodemoagemfoi
de49horas.
17
A moagem da liga Ga
40
Se
60
foi realizada usando 1,4068 g de pó de Ga,
1,5932gdepódeSe,paraseobteracomposiçãoGa
40
Se
60
.Otempodemoagemfoi
de20horas.
AligaGe
30
Se
70
ealigaGa
40
Se
60
foramsintetizadasnoLaboratóriodeSíntese
eCaracterizaçãodeMateriaisdoDepartamentodeFísicadaUFSC.
3.2 Caracterizaçãodasligas
Transcorridootempodemoagem,asligasobtidasforaminvestigadasusando
astécnicaseequipamentosqueserãodescritosaseguirnaobtençãodosresultados.
3.2.1 DRX
Os padrões de DRX foram medidos usando um difratômetro de raiosX
Philips,modeloX’Pert,nageometriaθ,utilizandoaradiaçãodoCu,filtradacom
Ni e monocromatizada com um monocromador de grafite de forma a termos a
radiaçãoCuK
α
(λ=1,54056Ǻ),40kVe30mA.Avelocidadedevarredurafoide
0,05°/sem2θ,utilizandoumavariaçãoem2θde10a100°.Asdifraçõesformafeitas
emtemperaturaepressãoambiente.
AtécnicaDRXfoiutilizadaparaidentificarmosaspossíveisfasespresentes
nas ligas sintetizadas. As análises foram feitas no Laboratório de Caracterização
MicroestruturaldoDepartamentodeEngenhariaMecânicadaUFSC.
18
3.2.2 DSC
As amostras como coletadas foram analisadas por DSC, utilizando um
calorímetro da TA Instrument, modelo TA – 2010, equipado com software que
permitiuautomatizaloatravésdousodeumcomputadordotipoIBMPC.Usamos
panelasdeAletodasasmedidasforamfeitasematmosferainerte,sobfluxodeN.
Umapequenaquantidade(cercade16,3mg)daligaGe
30
Se
70
foicolocadana
paneladeAlefoianalisadapelatécnicadeDSC,eumavarreduranointervalode
730Katé875K,aumataxadeaquecimentode10K/minfoirealizada.
Umapequenaquantidade(cercade21,6mg)daligaGa
40
Se
60
foicolocadana
paneladeAlefoianalisadapelatécnicadeDSC,eumavarreduranointervalode
300Katé620K,aumataxadeaquecimentode10K/minfoirealizada.
AtécnicaDSCfoiutilizadaparadeterminaratemperaturaemqueocorrea
relaxaçãoestrutural(remoçãodedefeitosetensões)dasligassintetizadas,etambém
estudar possíveis transições de fases estruturais. As analises foram feitas no
LaboratóriodeSínteseeCaracterizaçãodeMateriaisdoDepartamentodeFísicada
UFSC.
3.2.3 Espectroscopiadeabsorçãofotoastica
O efeito fotoacústico é obtido em uma célula que é constituída por um
recipientefechado,preenchidoporumgás(emgeraloar),noqualexisteumajanela
devidroquepermiteaentradadeluz.Umfeixedeluzmoduladaatravessaajanela,
atinge a amostra e por ela é absorvida. Por um processo de desexcitação não
radiativo,aradiaçãoabsorvidaétransformadaemenergiatérmica.Aluzincidente
sobreaamostrageraumgradientedetemperaturadentrodela,perpendicularàsua
face de maior dimensão. Devido a este gradiente, a expansão térmica será
dependentedaprofundidade,flexionandoaamostra.Estaflexãoperiódicafazcom
que a superfície da amostra produza o sinal acústico, que é captado por um
microfonenointeriordacélula.
19
Aestaçãodeespectroscopiadeabsorçãofotoacústicafoiusadaparamedira
difusividade térmicadaligaGe
30
Se
70
.AsmedidasforamfeitasnoLaboratóriode
SínteseeCaracterizaçãodeMateriaisdoDepartamentodeFísicadaUFSC.
3.3 Preparaçãodosfilmesfinos
A preparação dos filmes finos de mesma composição a partir das ligas
sintetizadas foram preparadas utilizando a técnica de evaporação rmica via
aquecimento resistivo de um cadinho de Mo. Nessa técnica, a energia térmica é
utilizadaparatransformarafontedematerialemvapor,queéentãodepositadapor
adsorçãoesolidificaçãoemumsubstrato.
Oprocessoocorrebasicamenteemtrêsetapas:
· Geraçãodosvaporesporsublimaçãoouevaporação.
· Transportedomaterialemfasegasosa,ematmosferareduzida,dafonteatéo
substrato.
· Condensação e deposição no substrato, com subseqüente nucleação e
crescimentodofilme.
Acinéticadedeposiçãodependedapressãodovaporedaprobabilidadede
queumátomooumoléculanoestadogasosocondensenosubstrato.
Outrosparâmetroscríticossão:
· Temperaturasdafontedematerial,dosubstratoedaparededacâmera.
· Purezadafontedematerial.
· Composiçãoepressãodogásresidual.
20
3.3.1 Limpezadaslâminas
Aslâminasforamsubmetidasàsseguintesetapasdelimpeza:
· Limpezacomacetonaeflanela.
· BanhodelimpezaultrasônicoeuumUltrasonicCleaner,modeloUSC700
(freqüêncianominal40kHzepotência50W),contendoáguadestiladacomo
meioparaapropagaçãodasondassonoras,por10minutos.
· Secagem das lâminas sobre uma chapa quente Quimis,modelo92012,a
umatemperaturade60°Cpor10minutos.
3.3.2 Deposiçãodosfilmesfinos
NadeposiçãodaligaGe
30
Se
70
edaligaGa
40
Se
60
,foiutilizado:
· Câmaradeevaporação.
· SistemadebombeamentoconstituídodeumabombaturbomolecularBalzers,
modeloTCO 015.
· FontedeevaporaçãodotipocadinhodeMo.
· Fonte DC estabilizada em tensão (60V) Unimatic, modelo 130 Ti
(alimentaçãodofilamentoresistivo),variandoacorrentede3a130A.
· Lâminasdevidroalcalinocom76mmdecomprimento,26mmdelargurae
1,2a1,4mmdeespessura,nãolapidadasecomumaextremidadefosca,que
foramusadascomosubstrato.
AligaGe
30
Se
70
ealigaGa
40
Se
60
foramdepositadassobasminasdevidro
na câmera de deposição a temperatura ambiente em cuo, a pressão na câmera
duranteaevaporaçãofoide10
5
mbar.Aslâminasdevidroforamcolocadasnum
suporteapropriadofixosa25cmdafontedeevaporação.Ovaporformadoapartir
dopontodeevaporaçãodistribuiseisotrópicamente,sendoqueaslâminasdevidro
21
foramcolocadasdemodoatangenciarestaesfera,paraqueosfilmestenhamuma
espessurauniforme.
OsfilmesfinosGe
30
Se
70
foramdepositadosapartirde148mgdaligaGe
30
Se
70
naformademoídocompactado,sobaslâminasdevidroposicionadasnosuporte
nacâmeradedeposição.
Os filmes finos Ga
40
Se
60
foram depositados a partir de 75,3 mg da liga
Ga
40
Se
60
naformadepómoídocompactado,sobaslâminasdevidroposicionadasno
suportenacâmeradedeposição.
As deposições foram feitas no Laboratório de Eletrodeposição do
DepartamentodeFísicadaUFSC.
22
3.4 Irradiaçãodosfilmesfinos
Osfilmesfinosproduzidosforamsubmetidosadiferentestiposderadiações,
comoobjetivodeproduzirdefeitosnosmesmos.
3.4.1 Luzsíncrotron
Luzsíncrotronéaradiaçãoeletromagnéticaemitidaporpartículascarregadas
que viajam a velocidades relativísticas ao executarem um movimento circular
[Jackson,1945].
Essetipoderadiaçãopossuicaracterísticasbemparticulares:
· Espectro continuo: Ao se analisar as componentes espectrais da radiação
emitida observase uma distribuição continua de comprimentos de onda
dentrodeumafaixaquevaidoNIRaosraiosX.
· Colimaçãonatural:Aluzsíncrotronéemitidapreferencialmentenadireção
instantânea do movimento da partícula dentro de um cone cuja abertura
angularestárelacionadaàenergiadapartículaeasuamassa.
O anel síncrotron é constituído por um feixe de partículas carregadas
(pósitronsouelétrons)viajandocomvelocidaderelativísticaporumacâmeracircular
mantidasobaltovácuo.Aórbitaéobtidaatravésdautilizaçãodeimãsdipolaresque
defletemofeixedemaneiraadequada.Aoexecutaremessemovimentocircularas
partículasemitemradiaçãonadireçãotangenteasuatrajetória.Aradiaçãoemitida
por esses dispositivos sai do anel através da câmera de dipolo, por uma saída
colocadanaseqüênciadasecçãoreta,esãoaproveitadasnasestaçõesexperimentais,
chamadasdelinhasdeluz.
O anel de armazenamento do LNLS é um síncrotron onde se aceleram
elétrons até uma energia final de 1,37 GeV. É composto por doze eletroímãs
dipolares com campo igual a 1,7 T, sendo que cada dipolo tem duas saídas de
23
radiação(a4°e15°).Acorrenteinicialarmazenadanoanelestánointervalode100
250mAcomumtempodevidadepelomenos10horas.Aenergiacriticadoanelé
deaproximadamente2keV[www.lnls.br].
Asirradiaçõesdosfilmesfinosutilizandoluzsíncrotronforamfeitasnalinha
deluzTGMdoLNLS,emCampinas,SP.Aconcessãodotempodeusodalinhade
pesquisa sedeu através de submissão deprojetodepesquisa ao comitêcientifico
daquelainstituição.
3.4.1.1 LinhadeLuzTGM:EspectroscopiadeUltravioletadeVácuo
Denominase linha de luz a instrumentação que é acoplada ao anel de
armazenamento de elétrons, aonde chegam os feixes de fótons (luz ncrotron)
geradospeloselétronsquecirculamnoaneldearmazenamento,aondeosfeixessão
"preparados" para ter utilidade nas estações experimentais. Em cada linha há um
componente chamado monocromador que define a característica da luz que será
utilizada em determinado tipo de experimento. A estação experimental inclui um
sistema portaamostra (no qual é colocada a amostra do material que se quer
analisar),detetoresdefeixesdefótonsespalhadosoutransmitidos(queregistramos
acontecimentosfísicosqueocorremnosátomosemoléculasdomaterialemestudo)
egradedeourode88%detransparência(paramonitoramentodofeixeincidente).
CaracterísticastécnicasdalinhadeluzTGM:
· Operanafaixadoultravioleta.
· Monocromador:Trêsgradestoroidais.
· Faixadeenergia:300100eV(40120Å),10035eV(120360Å),3512eV
(3601000Å).
· Resoluçãoespectral:Melhorque0,1Å(40120Å),melhorque0,3Å(120
360Å),melhorque1,1Å(3601000Å).
· Dispersão:Melhorque30,2Å/grau
24
· Elementos focalizantes:Trêsespelhos toroidaiseumagrade toroidal(uma
dastrêsdisponíveis).
· Fluxonaamostra:daordemde1,5.10
14
fótons/s.
· Tamanhodofeixenaamostra:(3x0,5)mm
2
.
· Detectores:diodosde1cm
2
egradedeouro.
Osfilmesfinosproduzidosforamirradiadoscomumfeixepolicromáticode
radiaçãoUVnafaixade12–50eV,comincidêncianormalnasamostras,porum
períodode tempoque variou de30 minutos a12 horas. Duranteas irradiaçõesa
câmara foi mantida a uma pressão menor que 10
7
mbar para as exposições dos
filmes.
AincidênciadeluznafaixadoVISfoiobtidafazendoofeixedeordemzero
passarporumajaneladequartzoexistentenalinha,demodoafiltraroscomponentes
deUVdofeixeincidente.Osfluxosdefótonsincidenteseemergentesdaamostra
forammonitoradosatravésdeumateladeouroediodos(sensíveis à luzVISea
radiaçãoUV),respectivamente.
3.4.2 EDS
Foi feita a análise composicional do filme fino Ge
30
Se
70
antes e após
irradiação com luz síncrotron, por microscopia eletrônica, fluorescência e
espalhamentoderaiosX,utilizandoumMicroscópioEletrônicodeVarredurade
BaixoVácuo,modeloLV –SEMJSM5900LV,operandoentre1a30kV.Atécnica
de caracterizaçãofoiempregadaparaanalisarmosasalterações(danosestruturais)
provocadospelaincidênciadofeixenofilmefinoGe
30
Se
70
apósirradiaçãocomluz
síncrotron. As análises composicionais do filme fino Ge
30
Se
70
irradiado com luz
síncrotron foram feitas no Laboratório de Microscopia Eletrônica do LNLS, em
Campinas,SP.
25
3.4.3 EspectroscopiadeabsorçãoUV/VIS/NIR
FoiusadoumespectrofotômetroPerkinElmer,modeloLambda19,operando
naregiãoespectraldoUV(200< <380400nm),VIS(380400nm< <700800
nm) e IR próximo (NIR) (800 nm < < 3300 nm), composto por uma fonte de
radiação eletromagnética, um conjunto de componentes ópticos que levam está
radiação até a amostra,um compartimento de amostrae umdetectorquemede a
intensidadederadiação.
AtécnicadeespectroscopiadeabsorçãoUV/VIS/NIRfoiusadaparamediro
valor do
gap
óptico do filme fino Ge
30
Se
70
antes e após irradiação com luz
síncrotron.AsmedidasforamfeitasnoLaboratóriodeBioinorgânicaeCristalografia
doDepartamentodeQuímicadaUFSC.
26
3.4.4 Fontesdeirradiação
Foramusadasasseguintesfontesdeirradiação:
· Fontedepartículaα:Am
241
.
· Fontedepartículaβ:Sr
90
.
· Fontederadiaçãoγ:Co
60
.
· FontederaiosXdeenergiavarvel:Am
241
.
· FontederadiaçãoVIS:Lâmpadaincandescente20W/8V.
· FontederadiaçãoUV:LâmpadafluorescentenegraEcolume28W/220V.
Parairradiarosfilmesfinoscomasfontesdeirradiação(radiaçãoionizante,
de fontes radioativas seladas, e radiação oionizante), foi montado um aparato
experimentalconstituídodosseguintescomponentes:
· Fotodiodos.
· Medidordetransmissão/reflexão(MTR).
· Peçasdeconexões.
· Laserdediodo:ClasseIIIa,potênciadesaídaentre1e5mWeλentre630e
680nm.
· Fontesdeirradiação.
· Fontes de tensão estabilizadoras: Scharoff, modelo T50U 15.5 e Tectrol,
modeloTC30015.
· Amperímetro:Keithley,modelo616digitalelectrometer.
· Resistores.
· Chaveseletora.
Parapodermosirradiarosfilmesfinos,foramconstruídaspeçasdeconexões,
queconectamasfontesdeirradiaçãoaoMTR,constituindodeumapeçadeconexão
parairradiarcomasfontesdepartículasαeβ,umapeçadeconexãoparairradiar
comafontederadiaçãoγ,umapeçadeconexãoparairradiarcomafontederaiosX,
uma peça de conexão para irradiar com a fonte de radiação UV. Também foi
27
construídaumapeçaparainterromperolaserdediodo(
shutter
),conectadoentreo
MTReomesmo.
3.4.4.1 Fotodiodos
O fotodiodo é um diodo de juão com encapsulamento transparente, de
modoamediraluzabsorvidaerefletidapelosfilmesfinosapartirdaluzdolaserde
diodo como fator determinante no controle da correnteelétrica. Consisteem uma
junçãopn,polarizadoinversamentecujacorrenteaumentaquandoabsorvefótons,
ocorrendo a formação de uma zona de transição entre uma região de material
semicondutor. Com a finalidade de analisar e obter uma série de parâmetros
importantesfoilevantadaacurvacaracterísticaIxVdosfotodiodosutilizadosno
MTR.
3.4.4.2 MTR
AbasedoMTR(fig.3.1)foiconstruídoapartirdeumblocodelatãomaciço
de10cmdediâmetroe3,5cmdealtura.Oblocofoifuradoparalelamenteabase,
transpassando o mesmo,onde em uma das extremidades foiconectadoo laser de
diodoenaoutraofotodiodoparamedidadetransmissão(I
1
).Foifeitoumsegundo
furoparaconexãodofotodiodoparamedidadereflexão(I
2
),eumterceirofuropara
conexãodasfontesdeirradiação.Oblocotambémfoicortadoperpendicularmentea
base,com2,6cmdelargurae3cmdeprofundidade,parainserçãoeremoçãodas
lâminas.
OblocodelatãofoiconstruídoparaservirdebaseparaoMTRnaoficina
mecânica, e montado no Laboratório de Espectrometria de Massa por Colisão
Eletrônica,ambosnoDepartamentodeFísicadaUFSC.
28
Fig.3.1EsboçodoMTR.
3.4.4.3CircuitoeletrônicodoMTR
Afigura3.2mostraodiagramaesquemáticodocircuitoeletrônicousadono
MTR.Umafontede5Vestabilizadaemtensãoalimentaosfotodiodos,aocomutara
chaveseletoraparaaposição1,ouparaaposição2,ovoltímetroiralerasdiferenças
depotenciaisentreosterminaisdosresistoressobincidênciadeluznosfotodiodos.
Outrafontede5Vestabilizadaemcorrentealimentaolaserdediodo.
Fig.3.2DiagramaesquemáticodocircuitoeletrônicousadonoMTR.
29
3.4.4.4Circuitoeletrônicodecontroledetemperatura
Foramusadososseguintescomponentesnocircuitoeletrônicodecontrolede
temperatura:
· Peltier:DT12601LS.
· Termistor:(
NegativeTemperature
Coefficient–NTC),ECT103x.
· Amplificadoresoperacionais:CA741CE.
· Transistor:DarlingtonTIP142.
· Potenciômetros.
· Resistores.
· Capacitores.
· LEDs.
· Fontesdeteno.
· Amperímetro:Minipa,ET2020.
· Dissipadores.
· Ventiladores.
Ocircuitoeletrônicocontroladordetemperaturaéutilizadonaestabilização
primaria do laser de diodo. É necessário mantermos um controle preciso da
temperatura,pois variações tãopequenas quanto 10 mK podem causar alterações
significativas na freqüência e na potencia de operação do laser de diodo. Esse
controladorproporcionaestabilidadesrápidasmelhoresdoque1mKeumaderiva,
associadaaoaquecimentodoscomponentesdocircuito,inferiora3mK/h.
O atuador,ou seja, o elemento que variaa temperatura, consiste em uma
pastilha semicondutora de (4x4) cm, denominada Peltier, fabricada por Marlow
Industries Europe, modelo DT12601LS. Esse elemento é tal que a passagem de
uma corrente elétrica provoca uma transferência de calor entre seus terminais,
aquecendoumladoeresfriandoooutroladodapastilha.OMTR,cujatemperatura
desejamos controlar,émantidoemcontato comumadas facesdapastilhaPeltier
enquantoqueaoutrafaceémantidaemcontatocomumdissipadordecalormantido
à temperatura ambiente. Como sensor de temperatura, utilizamos um termistor
30
acopladoaoMTR.Otermistoréumcomponentecujaresistênciaelétricavariacoma
temperatura.Oqueocircuitoeletrônicodecontroledetemperaturafazéenviaruma
correnteelétrica ao Peltier, variando a temperaturadoMTR até que a resistência
dessetermistorseigualeaumaresistênciaajustávelinternaaocircuito.
Alémdessemecanismodeservocontroledeestabilizaçãodatemperatura,o
circuitotemacapacidadedevariarlentamenteatemperaturadoMTR,permitindo
queoresfriamentoocorraemtaxascontroladasdaordemde1°C/min.
A figura 3.3 mostra o diagrama esquemático do circuito controlador de
temperatura[Cavasso, 2002]. O termistor émontadonumaconfiguraçãode ponte
resistiva como resistor de controle (
setpoint
).Essa ponteé alimentada por uma
fonteestabilizadabipolarde+/12V.Atensãoqueentranoamplificadoroperacional
A2éproporcionalàdiferençaentreasresistênciasdotermistoredo
setpoint
.Esse
sinal de erro é amplificado e enviado para um estágio proporcionalintegral (PI)
formado pelos amplificadores operacionais A4, A5 e A6. Depois de tratado e
amplificado, o sinal alimenta a fonte de corrente formada pelo amplificador
operacional A7 e o transistor Darlington TIP142. Essa fonte controla a corrente
elétricaquecirculaentreosterminaisdoPeltier.Ocircuitopossuiaindasaídapara
monitoraçãodosinaldeerroedacorrentecirculantenoPeltier.
31
Fig.3.3Diagramaesquemáticodocircuitocontroladordetemperatura.
Nasprimeirasmedidas,antesdeposicionarmososfilmesfinosnoMTR,foi
monitorada a radiação incidente (I
0
), proveniente do laser de diodo, a cada 10
minutospor2horas.
Apóso monitoramento de I
0
, os filmes finos foram expostos as fontes de
irradiação, sendoqueospontos referentes à I
1
e I
2
foram monitorados a cada10
minutospor2horas.
As irradiaçõescomas fontes de irradiação foram feitas noLaboratório de
Espectrometria de Massa por Colisão Eletrônica, no Departamento de Física da
UFSC.
32
Capítulo4
4 Resultadosediscussões
Nestecapítuloserãoapresentadoseanalisadososresultadosobtidosparaa
ligaGe
30
Se
70
ealigaGa
40
Se
60
,bemcomoparaosfilmesfinoscorrespondentes.
4.1 Caracterizaçãodasligas
Aqui serão apresentados e discutidos os resultados do estudo feito do
comportamentoestruturaletérmicodaligaGe
30
Se
70
edaligaGa
40
Se
60
.
4.1.1 DRX
Afigura4.1apresentaopadrãodeDRXparaaligaGe
30
Se
70
,preparadaapós
49horasdemoagem.NopadodeDRXdaliga,observamsepicosnasposições
angularesemtornode2θ≈20˚,21˚,26˚,37˚,38˚,42˚,49˚e66˚.OpadrãodeDRX
mostradonafigura4.1foiindexadoaumafaseGeSe,descritapelocartãoJCPDS
240459(fasehexagonal,grupoespacialP6
3
/mmceparâmetrosderedea=b=8,70
Åec=8,32Å).
Afigura4.2apresentaopadrãodeDRXparaaligaGa
40
Se
60
,preparadaapós
20 horas de moagem. No padrão de DRX da liga, observasepicos nas posições
angularesemtornode2θ≈16˚,21˚,24˚,29˚,30˚,33˚,38˚,45˚,48˚,52˚,65˚e82˚.
ComoaligaGa
40
Se
60
nãopassouporumprocessodepurificãoeseupadrãode
DRXfoifeitoapósumperíododeváriosmesesdesuapreparação,existeapresença
dediversospicoscontaminantes.Aexistênciadessespicossobrepostosaumfundo
referente à parte amorfa da mistura impossibilitou a identificação inequívoca dos
contaminantescomoóxidosdoselementosdapreparação(Ga,GeeSe).Contudo
observasenasfiguras4.1e4.2aconfirmaçãodafaseamorfadeinteresse.
33
0 20 40 60 80 100
0
50
100
150
200
250
300
350
Intensidade(u.a.)
2 q
Fig.4.1DRXdaligaGe
30
Se
70
após49horasdemoagem.
0 20 40 60 80 100 120
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Intensidade(u.a.)
2 q
Fig.4.2DRXdaligaGa
40
Se
60
após20horasdemoagem.
34
4.1.2 DSC
Afigura4.3mostraostraçosdeDSCmedidosparaaligaGe
30
Se
70
após49
horasde moagem. Observamosumlargo pico exotérmico em torno de806 K.A
integraçãodaáreatotalsobestepicoexotérmicodeDSCforneceaentalpiatotalpara
estaliga(transformaçãodeumafasemetaestávelparaumafaseestável).Assim,esta
entalpia estárelacionadacomaquantidadede calor necessárioparaproduziruma
relaxação estrutural, aliviando tensões e eliminando os diversos tipos de defeitos
introduzidosduranteamoagem.Tomandoastemperaturasde740Ke815Kcomo
oslimitesinferioresuperior,respectivamente,aentalpiatotalcalculadaparaaliga
Ge
30
Se
70
foide0,04605J/g.
Afigura4.4mostraostraçosdeDSCmedidosparaaligaGa
40
Se
60
após20
horas de moagem. Observamos um largo pico exotérmico em torno de 602 K.
Observamos também dois picos endotérmicos, o primeiro em torno de 439 K
(eliminaçãodeH
2
O)eosegundoemtornode492K(fusãodafaseSe
5
O
2
).
35
720 740 760 780 800 820 840 860 880
1,0
0,5
0,0
0,5
1,0
1,5
Fluxodecalor(u.a.)
Temperatura(K)
Fig.4.3DSCparaaligaGe
30
Se
70
após49horasdemoagem.
300 350 400 450 500 550 600
4
3
2
1
0
1
2
3
4
Fluxodecalor(u.a.)
Temperatura(K)
Fig.4.4DSCparaaligaGa
40
Se
60
após20horasdemoagem.
36
4.1.3 Espectroscopiadeabsorçãofotoastica
Usamos a técnica de Espectroscopia de absorção fotoacústica como
caracterizaçãoadicionaldaligaGe
30
Se
70
.Afigura4.5mostraoespectrofotoacústico
paraaligaGe
30
Se
70
após49horasdemoagem.
Afigura4.6mostraográficodologaritmodaintensidadedosinalvs.f
1/2
.
Podemosobservarumcomportamentolineardaintensidadedosinalparafreqüências
menores que 30 Hz, implicando que a contribuição ao sinal acústico da difusão
térmicaépredominantenesteintervalo,ondeadifusividadetérmica)nestaregião
defreqüênciaécalculadaatravésdaequação[Lima
etal
.,1992]:
α= π(L/b)
2
, (4.1)
ondeLéaespessuradaligaanalisadaebéocoeficienteangulardaretaajustadaaos
pontosdafigura4.6,resultandoemα=0,037cm
2
/s.
0 50 100 150 200 250
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
S(mV)
f(Hz)
Fig4.5EspectrofotoacústicoparaaligaGe
30
Se
70
após49horasdemoagem.
37
3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5
7,2
7,4
7,6
7,8
8,0
8,2
8,4
8,6
8,8
Ge30Se70/49h/comomoido
L=590micra
Ln(sinal)
f
1/2
(Hz
1/2
)
Fig.4.6:Gráficodologaritmodaintensidadedosinalvs.f
1/2
.
38
4.2 Irradiaçãodosfilmesfinos
Aquiserãoapresentadosediscutidososresultadosdoestudofeitodoefeito
daluzsíncotronedasoutrasfontesdeirradiaçãonofilmefinoGe
30
Se
70
enofilme
finoGa
40
Se
60
.
4.2.1 Luzsíncrotron
Asfiguras4.7e4.8mostramosgráficosdamedidadetransmitânciaTGMno
filmefinoGe
30
Se
70
irradiadopor5horasenofilmefinoGa
40
Se
60
irradiadopor12
horas,respectivamente.
Nafigura4.7observamsediferentescomportamentosnatransmitânciaTGM
com o tempo de exposição. Na primeira hora de exposição, há um aumento da
transmissãoque ocorre emumregimecom comportamento funcionalde potência
comotempodeexposição.NaregiãomarcadacomInográfico,após1horade
exposição,oexpoentedecrescimentoéde8,64±0,03.NaregiãoII,após1horade
exposição,iniciaseumprocessodediminuiçãodatransmissão,queébemdescrito
porumdecaimentoexponencialde primeiraordemcomexpoente(8,54±0,55)x
10
6
,oquepodeserassociadoaumcontínuoprocessodedestruiçãodafaseGe
30
Se
70
comincrementodefasesmaisestáveis.
Nafigura4.8observamsediferentescomportamentosnatransmitânciaTGM
comotempodeexposição.Nasprimeiras5horasdeexposição,háumaumentoda
transmissãoqueocorreemtrêsregimescomcomportamentofuncionaldepotência
comotempodeexposição.NaregiãomarcadacomInográfico,após2horasde
exposição,oexpoentedecrescimentoéde0,09±0,01.NaregiãomarcadacomII,
após3horasdeexposição,oexpoentedecrescimentoéde4,74±0,01.Naregião
marcadacomIII,após5horasdeexposição,oexpoentedecrescimentoéde0,24±
0,01.NaregiãoIV,após5horasdeexposição,iniciaseumprocessodediminuição
da transmissão, que é bem descrita por um decaimento exponencial de primeira
ordemcomexpoente(38,43±0,19)x10
2
,oquepodeserassociadoaumcontínuo
processodedestruiçãodafaseGa
40
Se
60
comincrementodefasesmaisestáveis.
39
0 4000 8000 12000
16000
2,5x10
8
3,0x10
8
3,5x10
8
4,0x10
8
4,5x10
8
II
I
transmitânciaTGM
tempo(s)
4.7MedidadetransminciaTGMdofilmefinoGe
30
Se
70
.
0 10000 20000 30000 40000
5,0x10
7
1,0x10
6
1,5x10
6
2,0x10
6
2,5x10
6
3,0x10
6
3,5x10
6
IV
III
II
I
transmitânciaTGM
tempo(s)
Fig.4.8MedidadetransmitânciaTGMdofilmefinoGa
40
Se
60
.
40
4.2.1.1 EDS
Asfiguras4.9e4.10mostramosespectrosdeenergiadispersivanaregião
quecompreendeasbordasLαeKαdoGeeLαdoSe,paraasincidênciasforae
dentrodamanchadeirradiação,respectivamente.Arazãoentreasáreassobospicos
forneceaproporcionalidade(emmassa)entreoselementosdofilmefinoGe
30
Se
70
.
FoipossívelanalisarquantitativamenteacomposiçãodofilmefinoGe
30
Se
70
antese
apósirradiação,comprecisãodeaté1%.Observousequeacomposiçãodofilme
finoGe
30
Se
70
nointeriordaregiãoirradiadaficoualteradapara20:80,indicandouma
migração do Ge gerando uma liga de maior estabilidade em relação à proporção
originalde30:70.
Fig.4.9.EspectroporenergiadispersivaforadamanchamostrandoospicosLαdo
Ge,LαdoSeeKαdoGe.
41
Fig.4.10.EspectroporenergiadispersivadentrodamanchamostrandoospicosLα
doGe,LαdoSeeKαdoGe.
4.2.1.2 EspectroscopiadeabsorçãoUV/VIS/NIR
A excitação óptica de elétrons cruzando o
gap
óptico é intensamente
permitida, produzindo um acréscimo abrupto na absorvitividade, com um
comprimento de onda correspondendo à energia do
gap
. Esta característica no
espectroópticoéconhecidacomobordadeabsorção.Paraaquelasestruturascom
gap
óptico
s
da ordem de 0,5 eV a 3 eV, a borda de absorção óptica pode ser
facilmentemedidaporespectroscopiaópticaconvencional.
Defeitos e impurezas introduzem estados justamente abaixo da banda de
condução ou justamente acima da banda de valência. A absorção por defeitos e
impurezas cria estados localizados no
gap
óptico, que são possíveis estados de
energiaondeoelétronpodetransitardentrodo
gap
óptico,causandodistorçõesna
bordadeabsorção,implicandoemumaestimativamenosprecisado
gap
óptico.A
aproximaçãomaisfreqüentementeutilizadasobreaobtençãodamaisbaixaenergia
detransiçãointerbandaséadeTauc[Tauc
etal
.,1966]:
42
(αhν)
1/2
µ(hν–E
g
),(4.2)
ondeαécoeficientedeabsorção,hνéaenergiadofótoneE
g
éo
gap
óptico(
gap
de
Tauc).
A figura 4.11 mostra o espectro de absorção na faixa de energia
compreendidaentre0,5eVa4,5eVparaofilmefinoGe
30
Se
70
nasregiõesforae
dentrodamanchaproduzidaporluzsíncrotron.Tambémincluímosnamesmafigura
oespectrodeabsorçãoparaoGeeoSecomoreferência.
O
gap
ópticoéobtidodeumaextrapolaçãolineardehν)
1/2
vs.,para(α
hν)
1/2
→0(figura4.12),obtendoosvaloresapresentadosnatabela4.1.
0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
4,5
0,6
0,4
0,2
0,0
0,2
0,4
0,6
dentrodamancha
foradamancha
Se
Ge
Absorçãorelativa
E(eV)
Fig.4.11EspectrodeabsorçãoparaoGeeoSeeparaasregiõesforaedentroda
manchanofilmefinoGe
30
Se
70
.
43
Fig.4.12Gráficosdehν)
1/2
vs.hνdeacordocomaaproximaçãodeTaucparao
Ge(a)eoSe(b)eparaasregiõesfora(c)edentro(d)damanchanofilmefino
Ge
30
Se
70
.
2,00 2,25 2,50
0,0
5,0x10
3
1,0x10
4
(c)
(ahn)
1/2
(cm
1/2
eV
1/2
)
hn
(eV)
2,00 2,25
2,50
0,0
5,0x10
3
1,0x10
4
(d)
(ahn)
1/2
(cm
1/2
eV
1/2
)
hn (eV)
0,7 0,8 0,9
0
1x10
3
2x10
3
3x10
3
(a)
(ahn)
1/2
(cm
1/2
eV
1/2
)
hn (eV)
1,50 1,75
0
1x10
4
2x10
4
(b)
(ahn)
1/2
(cm
-1/2
eV
1/2
)
hn
(eV)
44
Filmefino Eg(eV)
*
Eg(eV)
**
Eg(eV)
Ge 0,76±0,01
Se 1,61±0,01 2,11±0,01 1,94±0,01
Ge
30
Se
70
(foradamancha) 2,19±0,01 2,25±0,01 2,20±0,01
Ge
30
Se
70
(dentrodamancha) 2,14±0,01 2,14±0,01 2,17±0,01
Tabela4.1:Valoresdo
gap
ópticoparaoGeeoSeeparaasregiõesdofilmefino
Ge
30
Se
70
.
*
Valoresdo
gap
ópticoparaoGeeoSeeparaasregiõesdofilmefino
Ge
25
Se
75
[Tichy
etal
.,1998].
**
Valoresdo
gap
ópticoparaoGeeoSeeparaas
regiõesdofilmefinoGe
25
Se
75
[Nagels
etal
.,1998].
45
4.2.2 Fontesdeirradiação
Aquiserãoapresentadosediscutidososresultadosdoestudofeitodoefeito
dasfontesdeirradiaçãonofilmefinoGe
30
Se
70
eofilmefinoGa
40
Se
60
.
4.2.2.1 CurvacaracterísticaIxV
Asfiguras4.13e4.14mostramascurvascaracterísticasIxVdofotodiodoI
1
edofotodiodoI
2
,respectivamente.AfotocorrentedeslocaacurvacaracterísticaIx
Vnosentidoreverso.Noequilíbriotermodinâmico,semradiaçãoincidenteecom
polarizaçãoreversa,acorrentelíquidatotalpodeserdesprezadaparaumfotodiodo
ideal,devidoàstaxasdegeraçãoerecombinaçãotérmicaseigualaremeascorrentes
de difusão e de deriva (em sentidos opostos) se equilibrarem perfeitamente. Os
fotodiodos são úteis como sensores de radiação visível e infravermelha. Alguns
fotodiodostêmcoberturasquefiltramaluzvisívelouaradiaçãoinfravermelha.
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
0
20
40
60
80
100
corrente(mA)
tensão(V)
fotodiodoI
1
Fig.4.13CurvacaracterísticaIxVdofotodiodoI
1
.
46
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
0
20
40
60
80
100
corrente(mA)
tensão(V)
fotodiodoI
2
Fig.4.14CurvacaracterísticaIxVdofotodiodoI
2
.
4.2.2.2MonitoramentodeI
0
Afigura4.15mostraamedidadeI
0
comolaserdediodonãoestabilizado.As
barrasdeerrosãodamesmaordemdegrandezadospontosmedidos,porissoelas
foramomitidas.Podemosverqueapotenciadeemissãodolaserdediododiminuiu
comotempo.Fatoesseatribuídoaumaoperaçãonãoestáveldolaserdediodo,o
queinterferediretamentenosresultadosdasmedidas.Paraumaoperaçãoestáveldo
laser de diodo é necessário que a corrente de injeção e a temperatura sejam
controladas[Bradley
etal
.,1990].
Aestabilidadefoiobtidacomatemperaturadolaserdediodoestabilizada,
via circuito eletrônico de controle de temperatura, e com a corrente de injeção
estabilizada,viafontedetensãoestabilizadaemcorrente.
Afigura4.16mostraamedidadeI
0
comolaserdediodoestabilizado.As
barrasdeerrosãodamesmaordemdegrandezadospontosmedidos,porissoelas
foramomitidas.Podemosverqueapotenciadeemissãodolaserdediodopermanece
praticamenteconstante,compequenasoscilaçõesnotempo,fatoesseatribuídaauma
47
derivatérmicadelongotermo,provavelmenterelacionadaaolentoaquecimentodo
setpoint
.
0 20 40 60 80 100 120
4,5
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
I
0
(mV)
t(min)
Fig.4.15MedidadeI
0
comolaserdediodonãoestabilizado.
0 20 40 60 80 100 120
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
I
0
(mV)
t(min)
Fig.4.16MedidadeI
0
comolaserdediodoestabilizadotérmicamente.
48
4.2.2.3Lâminadevidro
A figura 4.17 mostra o gráfico da medida de transmincia na lâmina de
vidro. O ajuste linear dos pontos no gráfico determinou o coeficiente angular,
encontrandoovalorde (0,53±2,04)x10
5
min
1
.
0 20 40 60 80 100 120
0,62
0,64
0,66
0,68
I
1
/I
0
ajustelinear
transmitância(u.a.)
t(min)
Fig.4.17Medidadetransmitâncianalâminadevidrovs.otempodeexposição.
4.2.2.4Laserdediodo
As figuras 4.18 e 4.19 apresentam a cinética de escurecimento durante a
sondagem com o laser de diodo (1,9 eV) no filme fino Ge
30
Se
70
e nofilme fino
Ga
40
Se
60
, respectivamente. O ajuste linear dospontos nos gráficos determinou os
coeficientesangulares,encontrandoosvaloresde(5,94±1,14)x10
5
min
1
parao
filmefinoGe
30
Se
70
e –(3,48±1,24)x10
5
min
1
paraofilmefinoGa
40
Se
60
.
49
0 20 40 60 80 100 120
0,34
0,36
0,38
0,40
I
1
/I
0
ajustelinear
transmitância(u.a.)
t(min)
Fig.4.18MedidadetransmitâncianofilmefinoGe
30
Se
70
vs.otempodeexposição.
0 20 40 60 80 100 120
0,32
0,34
0,36
0,38
I
1
/I
0
ajustelinear
trasmitância(u.a.)
t(min)
Fig.4.19MedidadetransmitâncianofilmefinoGa
40
Se
60
vs.otempodeexposição.
50
4.2.2.5Fontedepartícula α
As figuras 4.20 e 4.21 apresentam a cinética de escurecimento durante
irradiaçãocomafontedepartículaα(5MeV)nofilmefinoGe
30
Se
70
enofilmefino
Ga
40
Se
60
, respectivamente. O ajuste linear dospontos nos gráficos determinou os
coeficientesangulares,encontrandoosvaloresde(1,39±1,00)x10
5
min
1
parao
filmefinoGe
30
Se
70
e –(4,19±0,77)x10
5
min
1
paraofilmefinoGa
40
Se
60
.
0 20 40 60 80 100 120
0,32
0,34
0,36
0,38
I
1
/I
0
ajustelinear
transmitância(u.a.)
t(min)
Fig.4.20MedidadetransmincianofilmefinoGe
30
Se
70
vs.otempodeexposiçãoà
fontedepartícula α.
51
0 20 40 60 80 100 120
0,44
0,46
0,48
0,50
I
1
/I
0
ajustelinear
transmitância(u.a.)
t(min)
Fig.4.21MedidadetransmincianofilmefinoGa
40
Se
60
vs.otempodeexposiçãoà
fontedepartícula α.
4.2.2.6Fontedepartícula β
As figuras 4.22 e 4.23 apresentam a cinética de escurecimento durante
irradiaçãocomafontedepartículaβ(3,5MeV)nofilmefinoGe
30
Se
70
enofilme
finoGa
40
Se
60
,respectivamente.Oajustelineardospontosnosgráficosdeterminou
oscoeficientesangulares,encontrandoosvaloresde(3,41±0,87)x10
5
min
1
para
ofilmefinoGe
30
Se
70
e (1,28±0,54)x10
5
min
1
paraofilmefinoGa
40
Se
60
.
52
0 20 40 60 80 100 120
0,36
0,38
0,40
0,42
I
1
/I
0
ajustelinear
transmitância(u.a.)
t(min)
Fig.4.22MedidadetransmincianofilmefinoGe
30
Se
70
vs.otempodeexposiçãoà
fontedepartículaβ.
0 20 40 60 80 100 120
0,36
0,38
0,40
0,42
I
1
/I
0
ajustelinear
transmitância(u.a.)
t(min)
Fig.4.23MedidadetransmincianofilmefinoGa
40
Se
60
vs.otempodeexposiçãoà
fontedepartículaβ.
53
4.2.2.7Fontederadiaçãoγ
As figuras 4.24 e 4.25 apresentam a cinética de escurecimento durante
irradiaçãocomafontederadiaçãoγ(0,66MeV)nofilmefinoGe
30
Se
70
enofilme
finoGa
40
Se
60
,respectivamente.Oajustelineardospontosnosgráficosdeterminou
oscoeficientesangulares,encontrandoosvaloresde(3,19±2,09)x10
5
min
1
para
ofilmefinoGe
30
Se
70
e (3,87±2,20)x10
5
min
1
paraofilmefinoGa
40
Se
60
.
0 20 40 60 80 100 120
0,34
0,36
0,38
0,40
I
1
/I
0
ajustelinear
transmitância(u.a.)
t(min)
Fig.4.24MedidadetransmincianofilmefinoGe
30
Se
70
vs.otempodeexposiçãoà
fontederadiaçãoγ.
54
0 20 40 60 80 100 120
0,30
0,32
0,34
0,36
I
1
/I
0
ajustelinear
transmitância(u.a.)
t(min)
Fig.4.25MedidadetransmincianofilmefinoGa
40
Se
60
vs.otempodeexposiçãoà
fontederadiaçãoγ.
4.2.2.8Fontederaios –X
As figuras 4.26 e 4.27 apresentam a cinética de escurecimento durante
irradiaçãocomafontederaios–X(Tb,com=44,23keVeKβ=50,65keV)no
filmefinoGe
30
Se
70
enofilmefinoGa
40
Se
60
,respectivamente.Oajustelineardos
pontosnosgráficosdeterminouoscoeficientesangulares,encontrandoosvaloresde
(0,31±0,54)x10
5
min
1
paraofilmefinoGe
30
Se
70
e –(5,77±0,65)x10
5
min
1
para
ofilmefinoGa
40
Se
60
.
55
0 20 40 60 80 100 120
0,32
0,34
0,36
0,38
I
1
/I
0
ajustelinear
transmitância(u.a.)
t(min)
Fig.4.26MedidadetransmincianofilmefinoGe
30
Se
70
vs.otempodeexposiçãoà
fontederaios –X.
0 20 40 60 80 100 120
0,36
0,38
0,40
0,42
I
1
/I
0
ajustelinear
trnsmitância(u.a.)
t(min)
Fig.4.27MedidadetransmincianofilmefinoGa
40
Se
60
vs.otempodeexposiçãoà
fontederaios –X.
56
4.2.2.9FontederadiaçãoVIS
As figuras 4.28 e 4.29 apresentam a cinética de escurecimento durante
irradiaçãocomafontederadiaçãoVIS(2,2eV)nofilmefinoGe
30
Se
70
enofilme
finoGa
40
Se
60
,respectivamente.Oajustelineardospontosnosgráficosdeterminou
oscoeficientesangulares,encontrandoosvaloresde(39,01±4,22)x10
5
min
1
para
ofilmefinoGe
30
Se
70
e (19,01±3,00)x10
5
min
1
paraofilmefinoGa
40
Se
60
.
0 20 40 60 80 100 120
0,70
0,72
0,74
0,76
0,78
I
1
/I
0
ajustelinear
transmitância(u.a.)
t(min)
Fig.4.28MedidadetransmincianofilmefinoGe
30
Se
70
vs.otempodeexposiçãoà
fontederadiaçãoVIS.
57
0 20 40 60 80 100 120
0,72
0,74
0,76
0,78
I
1
/I
0
ajustelinear
transmitância(u.a.)
t(min)
Fig.4.29MedidadetransmincianofilmefinoGa
40
Se
60
vs.otempodeexposiçãoà
fontederadiaçãoVIS.
Para a obtenção dasbarras de erros (incertezas) nos gráficos apresentados
nessecapítulo,foiutilizadaaseguinteequação[Piacentini,2005]:
I
1
/I
0
)
2
=(ΔI
1
/I
1
)
2
+(ΔI
0
/I
0
)
2
. (4.4)
Astabelas4.2e4.3mostramosseguintesparâmetrosparaosajusteslineares
dosgráficosapresentados,ondebéocoeficienteangulardasretasajustadasedpo
desviopadodosajustes.
As espessuras (L) dos filmes finos foram estimadas por comparação às
medidasdeBoev[Boev
etal
,1996],quemediuocoeficientedeabsorçãoparaaluz
VISnosmesmosfilmesfinosdenossointeresse.Foiutilizadaparaessefimaleide
Lambert–Beer:
I=I
0
e
αL
,(4.5)
58
ondeasespessurasdosfilmesfinosforamestimadasem(0,47±0,01)μm.
Fontesdeirradiação Energia b(min
1
) dp
* 1,9eV (0,53±2,04)x10
5
0,37
laserdediodo 1,9eV (5,94±1,14)x10
5
0,38
partículaα 5MeV (1,39±1,00)x10
5
0,34
partículaβ 3,5MeV (3,41±0,87)x10
5
0,26
radiaçãoγ 0,66MeV (3,16±2,09)x10
5
0,70
raios–X 50keV (0,37±0,54)x10
5
0,19
radiaçãoVIS 2,2eV (39,01±4,20)x10
5
0,52
*lâminadevidro
Tabela4.2:ParâmetrosdoajustelinearparaofilmefinoGe
30
Se
70.
Fontesdeirradiação Energia b(min
1
) dp
* 1,9eV (0,53±2,04)x10
5
0,37
laserdediodo 1,9eV (3,48±1,24)x10
5
0,47
partículaα 5MeV (4,19±0,77)x10
5
0,20
partículaβ 3,5MeV (1,28±0,54)x10
5
0,17
radiaçãoγ 0,66MeV (3,87±2,20)x10
5
0,81
raios–X 50keV (5,77±0,65)x10
5
0,20
radiaçãoVIS 2,2eV (19,01±3,00)x10
5
0,48
*lâminadevidro
Tabela4.3:ParâmetrosdoajustelinearparaofilmefinoGa
40
Se
60.
59
Capítulo5
5 Conclusões
Com base nos experimentos aqui desenvolvidos e nos resultados obtidos
nestetrabalho,foipossívelchegaràsconclusõesabaixo:
· Preparamos a liga Ge
30
Se
70
e a liga Ga
40
Se
60
por moagem mecânica, que
posteriormenteforamdepositadassobresubstratodevidronaformadefilme
finoGe
30
Se
70
edefilmefinoGa
40
Se
60
comespessurasdaordemde(0,47±
0,01)μm.
· Apóssinterização,asligasforamanalisadasporDRXeDSC,confirmadoa
coexisncia de fases amorfas, cristalinas e de óxidos dos materiais que
compõemaliga.
· O filme fino Ge
30
Se
70
e o filme fino Ga
40
Se
60
foram irradiados com luz
síncrotronprovenientesdalinhadeluzTGM(VISeVIS+UV)doanelde
estocagemdoLNLS.
· Asregiões do filme fino Ge
30
Se
70
irradiadospor luzsíncrotron (dentroda
mancha) foram analisadas por EDS e Espectroscopia de absorção
UV/VIS/NIRecomparadascomasregiõesnãoirradiadas(foradamancha)
do mesmo filme fino Ge
30
Se
70
, para identificação de alterações
composicionaisinduzidaspelairradiação.
· Foi construído um aparato experimental (MTR) que permite a medida da
transmitância e da refletância por uma sonda de laser de diodo. Especial
atençãofoidadacomrelaçãoàestabilizaçãotérmicadoMTR.
· OfilmefinoGe
30
Se
70
eofilmefinoGa
40
Se
60
foramirradiadoscompartícula
α,partículaβ,radiaçãoγ,raios XeradiaçãoVISviaMTR.
60
· Os filmes finos irradiados com luz síncrotron mostraram diferentes
comportamentos na transmitância TGM com o tempo de exposição. Nas
primeirashorasdeexposição,umaumentodatransmissão,descritoporum
comportamento funcional de potencia. Nas horas seguintes, há uma
diminuição da transmissão, descrita por um decaimento exponencial de
primeiraordem,quepodeseratribuídaaumcontinuoprocessodetransição
deumafasemetaestávelparaumafaseestável.
· A analise por EDS no filme fino Ge
30
Se
70
irradiado com luz síncrotron
revelouqueacomposiçãonointeriordaregiãoirradiadaficoualteradapara
20:80, indicando uma migração do Ge gerando uma liga de maior
estabilidadeemrelaçãoàproporçãooriginalde30:70.
· A analise por Espectroscopia de absorção UV/VIS/NIR no filme fino
Ge
30
Se
70
irradiadocomluzsíncrotronrevelouaocorrênciadodeslocamento
dabordadeabsorçãoparamenoresenergias,correspondendoaΔE
g
=(0,05±
0,02)eV(magnitudedofotoescurecimento).
· AanalisedatransmitâncianofilmefinoGe
30
Se
70
enofilmefinoGa
40
Se
60
irradiados no MTR apresentaram coeficientes angulares negativos
(diminuiçãodatransmissão)referenteaoajustelinearaospontosnosgráficos
de transmitância vs. tempo de exposição, sendo que o efeito foi mais
acentuadoparaaradiaçãoVIS.
61
Comosugestõesparatrabalhosfuturos,listamos:
· Melhorias no MTR, como otimizar a estabilização em temperatura com a
construçãodeumanovaversãocomumamassatérmicamenor,permitindo
um menor tempo na estabilização da temperaturade operaçãodo laser de
diodoedosfotodiodos.
· Construirumsistemadedissipaçãodecalornapeçaqueacoplaafontede
radiaçãoUVaoMTR,evitandoosuperaquecimentoeasubsequentequeima
da fonte de radiação UV, o que impossibilitou a sua utilização nesta
dissertação.
· IrradiarosfilmesfinosviaMTRcompartículaαepartículaβemvácuo,a
fimderealçaroefeitodessaspartículasnosmesmos.
· Promovero
annealing
térmicopróximoàtemperaturadetransiçãovítreanos
filmesfinos,afimdeseobservarmudançasreversíveis.
· ProduziraligaGe
x
Se
1x
ealigaGa
x
Se
1x
noutrasestequiometrias,bemcomo
aproduçãodeligasdecalcogenetos(S,SeeTe)emcombinaçãocomoutros
elementos da tabela periódica, para em seguidas evaporálas e estudálas
seguindoosprocedimentosdestadissertação.
· Aplicaras técnicasexperimentaisemtodasas ligas, naformadese de
filmesfinos,utilizadasnestadissertação,eemligascalcogênicasproduzidas
noutras estequiometrias e em combinação com outros elementosda tabela
periódica,afimdetermosummelhorentendimentodacinéticadosefeitos
fotoinduzidosemfilmesfinoscalcogênicossobirradiação.
62
ApêndiceA
Cinéticadeefeitosfotoinduzidos
A escala de tempo sobre o qual o fenômeno de fotoescurecimento ocorre
podedurarporquaseumahora.Istoéenormementemaiordoqueaescaladetempo
acessível para uma simulação de dinâmica molecular e isto é uma limitação
fundamental de tais simulações. A cinética é muito importante para aplicações
tecnológicasusandoefeitos fotoinduzidos.Umestudoregulardessesexperimentos
insitu
sãonecessários.
A.1 Modelosparafotoescurecimentoemcalcogenetos
A despeito da natureza especulativa destes modelos fenomenológicos, eles
contêm introspecções valiosas em possíveis processos que acontecem durante a
excitação.Noentanto,namaioriadosmodelosfaltamdetalhessuficientessobreas
mudançasestruturaisacontecidas.
Osmodelospodemserclassificadoscomo:
1. Quebra/formaçãodeligação
2. Distorçãoestruturalmasnãoquebradeligação
A.1.1 Modelosenvolvendoquebra/formaçãodeligação
Street: Street apresentou duas descrições que são visões alternativas do
mesmo fenômeno. Ele explicouo fotoescurecimento indicando queoaumento na
absorção é devido à excitação de
selftrapped excitons
(STE). O processo de
63
excitaçãoconsistedaquebradeligaçõeseareformaçãodelaspelaformaçãodepares
dedefeitoscarregados[Street,1977].
Elliott: Este modelo envolve a quebra de ligação intermolecular e
intramolecular[Elliott,1986].
Kolobov:Kolobovofereceutrêsmodelos,todoselesenvolvendoquebrade
ligaçãofotoinduzidaeformaçãodeligação.
· Modelo 1: Excitação de átomos nas quais deram forma a ligações
intercamadas alongadas dando origem a fotoescurecimento, visto que
menos energia é necessária para excitálos. Este modelo não pode
explicarafotoexpansão[Kolobov
etal.
,1981].
· Modelo 2: Este modelo contem regiões que contem ligações GeGe,
interrompendo as ligações GeSe, que são tencionadas. Elas podem ser
revertidas sob excitação. As ligações homopolares agem como núcleos
paraasmudançasqueenvolvemátomoscalcogênios[Kolobov,1993].
· Modelo 3: Este é um mecanismo de escala nanometrica. O
fotoescurecimento é causado pela reorientação de orbitais de pares
isolados. Por exemplo, em aSe, a fotoexitação de um par isolado de
elétrons,levaaformaçãodeumaligaçãointercamada,cadaumacomum
único par isolado de elétrons ou com dois pares isolados de elétrons
excitadosdecadeiasadjacentes.Apósaexcitação,umanovaligaçãopode
serquebrada.Aconfiguraçãofinalpodeterdiferentesângulosdiedraise
aumentar as interações de pares isolados, dando origem a
fotoescurecimento[Kolobov
etal.
,1998].
64
A.1.2 Modelosenvolvendodistorçãoestruturalmasnãoquebradeligação
Tanaka: Este é um modelo de configuração de coordenada (a energia
eletrônicaédadacomoumafunçãodecoordenadaconfiguracional,porexemplo,a
distânciaentredoisátomos).Defeitoslocalizadossãoumacaracterística.Oestado
fundamentaléumpoçoassimétricoduploeumestadoexcitadoéumpoçosimples.
Adeformaçãoda ligação daredeflexívelé consideradacomosendoa origemdo
fotoescurecimento[Tanaka,1980].
Grigorovici:EstemodeloéparafilmesfinosdeaAs
x
Se,comx<4.Baseado
noprocessodefotopolimerização[GrigorovicieVanucu,1981].
Popescu:Esteébaseadoemmodelosestruturaisquecontemambascamadas
desordenadasemoléculasisoladas.Asmudançasestruturaisocorremnasesferasde
coordenação2nde3rd[Popescu,1987].
Malinovsky:Estemodeloexplicaasmudançasfotoinduzidascomoumefeito
fototérmico[MalinovskyeZhdanov,1982].
Lee,PaeslereSayers:Estemodelocontemdistorçãoestruturallocal,talcomo
rotaçãodepirâmidesdeAsS
3
[Lee
etal.
,1989].
Fritzsche:Estemodelotentadarumadescriçãounificadadetodososdiferentes
efeitos.Emvezdeumapequenaproporçãodesítiosdedefeitosqueoativosem
efeitosfotoinduzidos,nestemodeloasmudançasestruturaislocaisocorrememtodos
ossítiosatômicos[Fritzsche,1993].
Shimakawa:Estemodelodiscuteoproblemaqueasexcitaçõesnãosãoátomo
seletivas. Mudanças estruturais são devido a interações de camadas carregadas,
dandoorigemafotoescurecimentoefotoexpansão[Shimakawa
etal.
,1998].
A.1.3 Modelosparaanisotropiafotoinduzida
Osmodelospodemserclassificadosemdoistiposqueenvolvem:
1. Orientaçãofotoinduzidadeligações,defeitos.
2. Orientaçãofotoinduzidadeclustercomocamadasemmesoescala.
65
A.1.3.1Modelosdotipo1
TikhomiroveElliott[TikhomiroveElliott,1994]eKolobov[Kolobov
etal.
,
1997].
A.1.3.2Modelosdotipo2
Tanaka[Tanaka
etal.
,1996]eHajto[Hajto
etal.
, 1982].
A.1.4 Outrosmodelos
Grigorovici [Grigorovici e Vanucu, 1981]; Popescu [Popescu, 1987]; Lee,
Paesler e Sayers [Lee
et al.
, 1990]; Fritzsche [Fritzsche, 1993]; Tikhomirov
[Tikhomirov
et al.
, 1997]; defeito quasimolecular [Dembovsky, 2000]; Lyubin e
Klebanov[LyubineKlebanov,1999];Arkhipov[Arkhipov
etal.
,1999]eFritzsche
[Fritzsche,1998].
66
REFERÊNCIAS
Anderson,P.W.
Modelfortheelectronicstructureofamorphoussemiconductors
.
Phys.Rev.Lett.34(1975)953.
Anderson,P. W.
Throughtheglasslightly
.Science267(1995)1615.
Andriesh, A. M.
Chalcogenide glasses in optoelectronics semiconductors
.
Semiconductors32(1998)867.
Arkhipov,V.I.;Emelianova,E.V.;Hertogen,P.;Adrianssens,G.J.
Anelectronic
modelofphotoinducedopticalanisotropyinchalcogenideglasses
.Phil.Mag.Lett.
79(1999)463.
AVANÇADOdiscodevidro,RevistaPesquisaFapesp,SãoPaulo,ed.86,p.25,abr.
2003.
Boev, V.; Sleeckx, E.; Mitkova, M.; Markovsky, P.; Nagels, P.; Zlatanova,
HolographicinvestigationsofphotoinducedchangesinPECVDGeSethinfilms
.
Vaccum47(1996)1143.
Bradley,C.C.;Chen,J.;Hulet,R.G.;
Instrumentationforthestableoperationof
laserdiodes
.Rev.Sci.Instrum.61(1991)2097.
Brandes,R.G.;LamingF.P.;Pearson,A.D.
Opticallyformeddielectricgratingsin
thickfilmsofarsenicsulfurglass
.Appl.Optics9(1970)1712.
Cavasso,R.L.DesenvolvimentodeFontesLaser,EspectroscopiadeAltaResolução
e Resfriamento Magnetoóptico de Átomos de Cálcio. Tese de Doutorado,
UNICAMP,2002.
67
Chopra, K. L.
Thin Film Phenomena
, McGrawHill Book Company, New York
(1969).
Dembovsky, S. A.
Resonance phenomena and defects in amorphous selenium
. J.
NonCryst.Solids226(2000)211.
Elliott,S.R.
Aunifiedmodelforreversiblephotostructuraleffectsinchalcogenide
glasses
.J.NonCryst.Solids81(1986)71.
Faraday,M.
Experimentalrelationsofgold(andothermetals)tolight
.Phil.Trans.
R.Soc.London147(1857)145.
Fritzsche, H.
The origin of photoinduced optical anisotropy’s in chalcogenide
glasses
.J.NonCryst.Solids164(1993)1169.
Fritzsche, H.
Toward understanding the photoinduced changes in chalcogenide
glasses
.Semiconductors32(1998)850.
Frumar, M; Polak, Z.; Vlcek, M.; Cernosek, Z.
Photoinduced changes of the
reactivityofamorphouschalcogenidelayers
.J.NonCryst.Solids221(1997)27.
Grigorovici,R.; Vanucu,A.
Structural modelingof reversible photodarking ina
As
x
Se
.J.Phys.Coll.42(1981)391.
Hayashi, K.; Kato, D.; Shimakawa, K.
Photoinduced effects in amorphous
chalcogenidefilmsbyvaccumultravioletlight
.J.NonCryst.Solids198(1996)696.
Hisakuni,H.;Tanaka,K.
GiantphotoexpansioninAs
2
S
3
glass
.Appl.Phys.Lett.65
(1994)2925.
Hohl,D.;Jones,R.O.
Firstprinciplesmoleculardynamicssimulationsofliquidand
amorphousselenium
.Phys.Rev.B43(1991)3856.
68
Jedelsky, J.; Frumar, M.; Polak, Z.; Cernosek, Z.
Thermally and photoinduced
changesofstructureandopticalpropertiesofAsGaSamorphousfilmsandglasses
.
ThinSolidFilms343(1999)488.
Kastner, M.; Adler, D.; Fritzsce, H.
Valencealternation model for localized gap
statesinlonepairsemiconductors
.Phys.Rev.Lett.37(1976)1504.
Klinger,M.I.;Taraskin,S.N.
Theoryofelectrontwobandselftrappinginatomic
softconfigurations
.Phys.Rev.B52(1995)2557.
Kolobov,A.V.
Photoinducedatomicprocessesinvitreouschalcogenides
.J.Non
Cryst.Solids164(1993)1159.
Kolobov, A. V.; Bershtein, V. A.; Elliott, S. R.
Athermal photoamorphization of
As
50
Se
50
films
.J.NonCryst.Solids150(1992)116.
Kolobov,A.V.;Kolomiets,B.T.;Konstantinov,O.V.;Lyubin,V.M.
Amodelof
photostructural changes in chalcogenide vitreous semiconductors
. J. NonCryst.
Solids45(1981)335.
Kolobov, A. V.; Lyubin, V.; Yasuda, T.; Tanaka, K.
Photoinduced anisotropy
conversionofbondingandlonepairelectronsinAs
2
S
3
.Phys
.Rev.B55(1997)23.
Kolobov,A.V.;Oyanagi,H.;Roy,A.;Tanaka,
KAnonometerscalemechanismfor
the reversiblephotostructuralchanges inamorphouschalcogenides
.J.NonCryst.
Solids234(1998)80.
Lee, J. M.; Paesler, M. A.; Sayers, D. E.; Fontaine, A.
An EXAFS study of
compositiontrendsandphotoinducedstructuralchangesinamorphousAs
x
S
1x
thin
films
.J.NonCryst.Solids123(1990)295.
69
Lee,J.M.;Pfeiffer,G.;Paesler,M.A
.Photonintensitydependentdarkeningkinetics
in optical and structural anisotropy in aAs
2
S
3
– a study of Xray absorption
spectroscopy
.J.NonCryst.Solids114(1989)52.
Lima, J. C.; Cella, N.; Miranda, L. C. M.
Photoacoustic characterization of
chalcogenideglasses:ThermaldiffusivityofGe
x
Te
1x
.Phys.Rev.B46(1992)186.
Liu,J.Z.;Taylor, P. C.
AbsenceofphotodarkeninginglassyAs
2
Se
3
alloyed whit
copper
.Phys.Rev.Lett.59(1987)1938.
Lyubin, V. M.; Klebanov, M.
Photoinduced anisotropy in chalcogenide glassy
semiconductors
.Rom.Rep.Phys.51(1999)225.
Mahan,G.D.
ManyParticlePhysics
,KluwerAcademic/PlenumPublishers,3rded.
(2000).
Malinovsky, V. K.; Zhdanov, V. G.
Local heating and photostructure
transformationsin chalcogenide vitreous semiconductors
. J.NonCryst. Solids 51
(1982)31.
Mort, J.; Pai, D. M.
Photoconductivity and Related Phenomena
, Elsevier,
Amsterdam(1976).
Mott,N.F.
Conductioninnoncrystallinematerials
.Philos.Mag.19(1969)835.
Nahrwold,R.Ann.Phys.31(1887)467.
Nagels, P.; Tichy, L.; Sleeckx, E.; Callaerts, R.
Photodarkening induced at low
temperaturesinamorphousGe
x
Se
100x
films
.J.NonCryst.Solids227(1998)705.
Piacentini,J.J.;Grandi,B.C.S.;Hofmann,N.P.;Lima,F.R.R.;Zimmermann,E.
IntroduçãoaolaboratóriodeFísica.Ed.UFSC,2005.
70
Pimenta, A. F. Fabricação e Caracterização das Ligas Ni
20
Zn
80
e Co
20
Zn
80
por
MechanicalAlloying
.DissertaçãodeMestrado,UFSC,1994.
Poborchii, V. V.; Kolobov, A. V.; Tanaka, A.
Photomelting of selenium at low
temperature
.App.Phys.Latt.74(1999)215.
Popescu, M. A.
NonCrystalline Chalcogenides
, Kluwer Academic Publisher,
Dordrecht(2000).
Popescu, M.
Computerassisted modeling of photostrctural transformations in
amorphousAs
2
Se
3
.J.NonCryst.Solids90(1987)533.
Schroeder, J.; Weimin, W.; Apkarian, J. L.; Lee, M.; Hwa, L.; Moynihan, C. T.
RamanscatteringandBosonpeaksinglasses:temperatureandpressureeffects
.J.
NonCryst.Solids349(2004)88.
Shimakawa,K.;Hattori,K.;Elliott,S.R.
Photoinducedchangesofactransportin
amorphousAs
2
S
3
.Phys.Rev.Lett.36(1987)7741.
Shimakawa, K.; Yoshida, N.; Ganjoo, A.; Kuzusawa, Y.
A model for the
photostructural changes in amorphous chalcogenides
. Phil. Mag. Lett. 77 (1998)
153.
Shpotyuk, O. I.
 On the microstructural origin of reversible photoinduced
transformationsinamorphousAs
2
Se
3
. OptoEletron.Rev.11(2003)19.
Street, R. A.
Luminescence in amorphous semiconductors
. Advances in Phys. 25
(1976)397.
Street, R. A.
Nonradioactive recombination in chalcogenide glasses
. Sol. Stat.
Comm.24(1977)363.
71
Street,R.A.;Mott,N.F.
Statesinthegapinglassysemiconductors
.Phys.Rev.Lett.
35(1975)1293.
Tanaka,K
PhotoinduceddynamicalchangesinamorphousAs
2
S
3
.Sol.Stat.Comm.
34(1980)201.
Tanaka,K.
PhotoexpansioninAs
2
S
3
glass
.Phys.Rev.B57(1998)5163.
Tanaka,K.;Ishida,K.;Yoshida,N.
Mechanismofphotoinducedanisotropy
.Phys.
Rev.B54(1996)9190.
Tauc, J.; Grigorovici, R.; Vancu,
Optical properties and electronic structure of
amorphousgermanium
A.Phys.StatusSolidi15(1966)627.
Tichy, L.; Ticha, H.; Nagels, P.; Callaerts, R.
Photoinduced optical changes in
amorphousSeandGeSefilms
.J.NonCryst.Solids240(1998)177.
Tikhomirov, V. K.; Elliott, S. R.
Metaestable optical anisotropy in chalcogenide
glassesinducedbyunpolarizedlight
.Phys.Rev.B49(1994)17476.
Tikhomirov,V.K.;Adriaenssens,V.K.;Elliott,S.R.
Temperaturedependenceof
photoinduced anisotropy in chalcogenide glasses: activation energies and their
interpretation
.Phys.Rev.B55(1997)660.
Treacy,D.J.;Strom,U.;Klein,P.B.;Taylor,P.C.;Martin,T.P.
Photostructural
effectsinglassyAs
2
Se
3
andAs
2
S
3
.NonCryst.Solids35(1980)1035.
Vanderbilt,D.;Joannopoulos,J.D.
TheoryofdefectstatesinglassyAs
2
Se
3
.Phys.
Rev.B23(1981)2596.
72
Vlcek, M.; Frumar, M.; Kubovy, M.; Nevsimalova, V.
The influence of the
compositionofthelayersandoftheinorganicsolventsonphotoinduceddissolution
ofAsSamorphousthinfilms
.J.NonCryst.Solids137(1991)1035.
Wagendristel,A.;Wang,Y.
Anintroductiontophysicsandtechnologyofthinfilms
,
WorldScientific(1994).
Watanabe, Y.; Kawazoe, H.; Yamane, M.
Imperfections in amorphous
chalcogenides
.Phys.Rev.B38(1988)5677.
Livros Grátis
( http://www.livrosgratis.com.br )
Milhares de Livros para Download:
Baixar livros de Administração
Baixar livros de Agronomia
Baixar livros de Arquitetura
Baixar livros de Artes
Baixar livros de Astronomia
Baixar livros de Biologia Geral
Baixar livros de Ciência da Computação
Baixar livros de Ciência da Informação
Baixar livros de Ciência Política
Baixar livros de Ciências da Saúde
Baixar livros de Comunicação
Baixar livros do Conselho Nacional de Educação - CNE
Baixar livros de Defesa civil
Baixar livros de Direito
Baixar livros de Direitos humanos
Baixar livros de Economia
Baixar livros de Economia Doméstica
Baixar livros de Educação
Baixar livros de Educação - Trânsito
Baixar livros de Educação Física
Baixar livros de Engenharia Aeroespacial
Baixar livros de Farmácia
Baixar livros de Filosofia
Baixar livros de Física
Baixar livros de Geociências
Baixar livros de Geografia
Baixar livros de História
Baixar livros de Línguas
Baixar livros de Literatura
Baixar livros de Literatura de Cordel
Baixar livros de Literatura Infantil
Baixar livros de Matemática
Baixar livros de Medicina
Baixar livros de Medicina Veterinária
Baixar livros de Meio Ambiente
Baixar livros de Meteorologia
Baixar Monografias e TCC
Baixar livros Multidisciplinar
Baixar livros de Música
Baixar livros de Psicologia
Baixar livros de Química
Baixar livros de Saúde Coletiva
Baixar livros de Serviço Social
Baixar livros de Sociologia
Baixar livros de Teologia
Baixar livros de Trabalho
Baixar livros de Turismo